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BSO303SPHXUMA1 - 

MOSFET P-CH 30V 7.2A 8DSO

  • 不提供增值包装；备有另选包装。
Infineon Technologies BSO303SPHXUMA1
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
BSO303SPHXUMA1
仓库库存编号：
BSO303SPHXUMA1CT-ND
描述：
MOSFET P-CH 30V 7.2A 8DSO
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
3（168 小时）
详细描述：
表面贴装 P 沟道 30V 7.2A（Ta） 1.56W（Ta） PG-DSO-8
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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BSO303SPHXUMA1产品属性


产品规格
  封装/外壳  8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）  
  制造商  Infineon Technologies  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -55°C ~ 150°C（TJ）  
  系列  OptiMOS??  
  包装  剪切带（CT）   
  零件状态   已不再提供  
  供应商器件封装  PG-DSO-8  
  技术  MOSFET（金属氧化物）  
  Vgs（最大值）  ±20V  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）  54nC @ 10V  
  不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）  21 毫欧 @ 9.1A，10V  
  驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）  4.5V，10V  
  FET 类型  P 沟道  
  电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）  7.2A（Ta）  
  不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）  2330pF @ 25V  
  FET 功能  -  
  不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）  2V @ 100μA  
  功率耗散（最大值）  1.56W（Ta）  
  漏源电压（Vdss）  30V  
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产品资料
数据列表 BSO303SP H
标准包装 1
其它名称 BSO303SP HCT
BSO303SP HCT-ND

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MOSFET P-CH 30V 7.2A 8DSO

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MOSFET P-Ch -30V -9.1A DSO-8 OptiMOS P

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Trans MOSFET P-CH 30V 7.2A 8-Pin DSO T/R - Tape and Reel (Alt: BSO303SPHXUMA1)

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Trans MOSFET P-CH 30V 7.2A Automotive 8-Pin DSO T/R

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Infineon Technologies - BSO303SPHXUMA1 - MOSFET P-CH 30V 7.2A 8DSO		Infineon Technologies
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详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 7.2A（Ta） 1.56W（Ta） PG-DSO-8

型号：BSO303SPHXUMA1
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别名：BSO303SP HCT
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