BSO303SPHXUMA1,Infineon Technologies,分立半导体产品,晶体管 - FET，MOSFET - 单
st代理商
专业代理销售st（意法）全系列产品
库存查询
在本站结果里搜索：    
热门搜索词：电容器   Vicor   MXP7205VW   STM32F103C8T6   1379658-1   UVX  

BSO303SPHXUMA1 - 

MOSFET P-CH 30V 7.2A 8DSO

  • 不提供增值包装；备有另选包装。
Infineon Technologies BSO303SPHXUMA1
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
BSO303SPHXUMA1
仓库库存编号：
BSO303SPHXUMA1CT-ND
描述：
MOSFET P-CH 30V 7.2A 8DSO
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
3（168 小时）
详细描述：
表面贴装 P 沟道 30V 7.2A（Ta） 1.56W（Ta） PG-DSO-8
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
网站能显示购买的型号支持直接下单付款，请确认好完整型号，我司会有销售专人审核。也支持线下做合同下单付款，详情请联系我司销售。


数据正在加载中...

BSO303SPHXUMA1产品属性


产品规格
  封装/外壳  8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）  
  制造商  Infineon Technologies  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -55°C ~ 150°C（TJ）  
  系列  OptiMOS??  
  包装  剪切带（CT）   
  零件状态   已不再提供  
  供应商器件封装  PG-DSO-8  
  技术  MOSFET（金属氧化物）  
  Vgs（最大值）  ±20V  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）  54nC @ 10V  
  不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）  21 毫欧 @ 9.1A，10V  
  驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）  4.5V，10V  
  FET 类型  P 沟道  
  电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）  7.2A（Ta）  
  不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）  2330pF @ 25V  
  FET 功能  -  
  不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）  2V @ 100μA  
  功率耗散（最大值）  1.56W（Ta）  
  漏源电压（Vdss）  30V  
关键词         

产品资料
数据列表 BSO303SP H
标准包装 1
其它名称 BSO303SP HCT
BSO303SP HCT-ND

BSO303SPHXUMA1相关搜索

封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）  Infineon Technologies 封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）   制造商 Infineon Technologies  Infineon Technologies 制造商 Infineon Technologies  晶体管 - FET，MOSFET - 单 制造商 Infineon Technologies  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 制造商 Infineon Technologies   安装类型 表面贴装  Infineon Technologies 安装类型 表面贴装  晶体管 - FET，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装   工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Infineon Technologies 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）   系列 OptiMOS??  Infineon Technologies 系列 OptiMOS??  晶体管 - FET，MOSFET - 单 系列 OptiMOS??  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 系列 OptiMOS??   包装 剪切带（CT）   Infineon Technologies 包装 剪切带（CT）   晶体管 - FET，MOSFET - 单 包装 剪切带（CT）   Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 包装 剪切带（CT）    零件状态  已不再提供  Infineon Technologies 零件状态  已不再提供  晶体管 - FET，MOSFET - 单 零件状态  已不再提供  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 零件状态  已不再提供   供应商器件封装 PG-DSO-8  Infineon Technologies 供应商器件封装 PG-DSO-8  晶体管 - FET，MOSFET - 单 供应商器件封装 PG-DSO-8  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 供应商器件封装 PG-DSO-8   技术 MOSFET（金属氧化物）  Infineon Technologies 技术 MOSFET（金属氧化物）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 技术 MOSFET（金属氧化物）  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 技术 MOSFET（金属氧化物）   Vgs（最大值） ±20V  Infineon Technologies Vgs（最大值） ±20V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 Vgs（最大值） ±20V  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 Vgs（最大值） ±20V   不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 54nC @ 10V  Infineon Technologies 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 54nC @ 10V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 54nC @ 10V  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 54nC @ 10V   不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 21 毫欧 @ 9.1A，10V  Infineon Technologies 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 21 毫欧 @ 9.1A，10V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 21 毫欧 @ 9.1A，10V  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 21 毫欧 @ 9.1A，10V   驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V  Infineon Technologies 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V   FET 类型 P 沟道  Infineon Technologies FET 类型 P 沟道  晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 类型 P 沟道  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 类型 P 沟道   电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 7.2A（Ta）  Infineon Technologies 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 7.2A（Ta）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 7.2A（Ta）  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 7.2A（Ta）   不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2330pF @ 25V  Infineon Technologies 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2330pF @ 25V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2330pF @ 25V  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2330pF @ 25V   FET 功能 -  Infineon Technologies FET 功能 -  晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 功能 -  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 功能 -   不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 100μA  Infineon Technologies 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 100μA  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 100μA  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 100μA   功率耗散（最大值） 1.56W（Ta）  Infineon Technologies 功率耗散（最大值） 1.56W（Ta）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 功率耗散（最大值） 1.56W（Ta）  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 功率耗散（最大值） 1.56W（Ta）   漏源电压（Vdss） 30V  Infineon Technologies 漏源电压（Vdss） 30V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 漏源电压（Vdss） 30V  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 漏源电压（Vdss） 30V  
参考价格及参考库存
  美国1号仓库    仓库直销，订单金额100元起订，满300元含运，满500元含税运，有单就有优惠，量大更优惠，支持原厂订货
型号 制造商 描述 操作
BSO303SPHXUMA1
[更多]		 Infineon Technologies AG

MOSFET P-CH 30V 7.2A 8DSO

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

搜索
查看资料
  美国2号仓库    仓库直销，订单金额100元起订，满300元含运，满500元含税运，有单就有优惠，量大更优惠，支持原厂订货
型号 制造商 描述 操作
BSO303SP H
[更多]		 Infineon Technologies AG

MOSFET P-Ch -30V -9.1A DSO-8 OptiMOS P

RoHS: Compliant

搜索
  日本1号仓库    仓库直销，订单金额100元起订，满300元含运，满500元含税运，有单就有优惠，量大更优惠，支持原厂订货
型号 制造商 描述 操作
BSO303SPHXUMA1
[更多]		 Infineon Technologies AG

Trans MOSFET P-CH 30V 7.2A Automotive 8-Pin DSO T/R

RoHS: Compliant

搜索
  美国3号仓库    仓库直销，订单金额100元起订，满300元含运，满500元含税运，有单就有优惠，量大更优惠，支持原厂订货
型号 制造商 描述 操作
BSO303SPHXUMA1
[更多]		 Infineon Technologies AG

Trans MOSFET P-CH 30V 7.2A 8-Pin DSO T/R (Alt: BSO303SPHXUMA1)

RoHS: Compliant

搜索
BSO303SPHXUMA1
[更多]		 Infineon Technologies AG

Trans MOSFET P-CH 30V 7.2A 8-Pin DSO T/R - Tape and Reel (Alt: BSO303SPHXUMA1)

RoHS: Compliant

搜索
  日本2号仓库    仓库直销，订单金额100元起订，满300元含运，满500元含税运，有单就有优惠，量大更优惠，支持原厂订货
型号 制造商 描述 操作
BSO303SPHXUMA1
[更多]		 Infineon Technologies AG

Trans MOSFET P-CH 30V 7.2A Automotive 8-Pin DSO T/R

RoHS: Compliant

搜索
  日本3号仓库    仓库直销，订单金额100元起订，满300元含运，满500元含税运，有单就有优惠，量大更优惠，支持原厂订货
型号 制造商 描述 操作
BSO303SPHXUMA1
[更多]		 Infineon Technologies AG

Trans MOSFET P-CH 30V 7.2A Automotive 8-Pin DSO T/R

RoHS: Compliant

搜索
BSO303SPHXUMA1
[更多]		 Infineon Technologies AG

Trans MOSFET P-CH 30V 7.2A Automotive 8-Pin DSO T/R

RoHS: Compliant

搜索
  www.szcwdz.com    查看更多相关产品
参考图片 型号/品牌 描述 / 技术参考 操作
无图BSO303SPHXUMA1
Infineon Technologies		原厂原装货
暂无PDF 		查价格库存
查看详细
  美国1号仓库    查看更多相关产品
参考图片 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名 PDF 操作

Infineon Technologies - BSO303SPHXUMA1 - MOSFET P-CH 30V 7.2A 8DSO		Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 7.2A 8DSO
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 7.2A（Ta） 1.56W（Ta） PG-DSO-8

型号：BSO303SPHXUMA1
仓库库存编号：BSO303SPHXUMA1CT-ND
别名：BSO303SP HCT
BSO303SP HCT-ND
无铅搜索
电话:400-900-3095
QQ:800152669
st（意法）简介  |  st产品  |   st动态  |  产品应用  |  st选型手册
Copyright © 2017 www.st-ic.com All Rights Reserved. 技术支持：电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号
深圳市市场监督管理局企业主体身份公示