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BSO612CVGHUMA1 - 

MOSFET N/P-CH 60V 2A 8-SOIC

  • 非库存货
Infineon Technologies BSO612CVGHUMA1
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
BSO612CVGHUMA1
仓库库存编号：
BSO612CVGHUMA1TR-ND
描述：
MOSFET N/P-CH 60V 2A 8-SOIC
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
3（168 小时）
详细描述：
Mosfet Array N and P-Channel 60V 3A, 2A 2W Surface Mount PG-DSO-8
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！

BSO612CVGHUMA1产品属性


产品规格
  封装/外壳  8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）  
  制造商  Infineon Technologies  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -55°C ~ 150°C（TJ）  
  系列  SIPMOS?  
  包装  带卷（TR）   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  PG-DSO-8  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）  15.5nC @ 10V  
  不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）  120 毫欧 @ 3A，10V  
  FET 类型  N 和 P 沟道  
  电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）  3A，2A  
  不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）  340pF @ 25V  
  FET 功能  标准  
  不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）  4V @ 20μA  
  漏源电压（Vdss）  60V  
  功率 - 最大值  2W  
关键词         

产品资料
数据列表 BSO 612 CV G
标准包装 2,500
其它名称 BSO612CV G
BSO612CV G-ND
BSO612CVGINTR
BSO612CVGINTR-ND
BSO612CVGT
BSO612CVGXT
BSO612CVT
BSO612CVXTINTR
BSO612CVXTINTR-ND
SP000216307

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