BSO615C G,Infineon Technologies,分立半导体产品,晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
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BSO615C G - 

MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2A 8SOIC

Infineon Technologies BSO615C G
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
BSO615C G
仓库库存编号：
BSO615CINCT-ND
描述：
MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2A 8SOIC
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
3（168 小时）
详细描述：
Mosfet Array N and P-Channel 60V 3.1A, 2A 2W Surface Mount PG-DSO-8
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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BSO615C G产品属性


产品规格
  封装/外壳  8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）  
  制造商  Infineon Technologies  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -55°C ~ 150°C（TJ）  
  系列  SIPMOS?  
  包装  剪切带（CT）   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  PG-DSO-8  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）  22.5nC @ 10V  
  不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）  110 毫欧 @ 3.1A，10V  
  FET 类型  N 和 P 沟道  
  电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）  3.1A，2A  
  不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）  380pF @ 25V  
  FET 功能  逻辑电平门  
  不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）  2V @ 20μA  
  漏源电压（Vdss）  60V  
  功率 - 最大值  2W  
关键词         

产品资料
数据列表 BSO615C
标准包装 1
其它名称 BSO615CINCT

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