BSP129H6327XTSA1,Infineon Technologies,分立半导体产品,晶体管 - FET，MOSFET - 单
st代理商
专业代理销售st（意法）全系列产品
库存查询
在本站结果里搜索：    
热门搜索词：电容器   Vicor   MXP7205VW   STM32F103C8T6   1379658-1   UVX  

BSP129H6327XTSA1 - 

MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223

Infineon Technologies BSP129H6327XTSA1
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
BSP129H6327XTSA1
仓库库存编号：
BSP129H6327XTSA1CT-ND
描述：
MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
表面贴装 N 沟道 350mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！

BSP129H6327XTSA1产品属性


产品规格
  封装/外壳  TO-261-4，TO-261AA  
  制造商  Infineon Technologies  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -55°C ~ 150°C（TJ）  
  系列  SIPMOS?  
  包装  剪切带（CT）   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  PG-SOT223-4  
  技术  MOSFET（金属氧化物）  
  Vgs（最大值）  ±20V  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）  5.7nC @ 5V  
  不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）  6 欧姆 @ 350mA，10V  
  驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）  0V，10V  
  FET 类型  N 沟道  
  电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）  350mA（Ta）  
  不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）  108pF @ 25V  
  FET 功能  耗尽模式  
  不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）  1V @ 108μA  
  功率耗散（最大值）  1.8W（Ta）  
  漏源电压（Vdss）  240V  
关键词         

产品资料
数据列表 BSP129
标准包装 1
其它名称 BSP129H6327XTSA1CT

BSP129H6327XTSA1您可能还对以下元器件感兴趣

  • 参考图片
  • 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
  • PDF
  • 操作

BSP129H6327XTSA1相关搜索

封装/外壳 TO-261-4，TO-261AA  Infineon Technologies 封装/外壳 TO-261-4，TO-261AA  晶体管 - FET，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-261-4，TO-261AA  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-261-4，TO-261AA   制造商 Infineon Technologies  Infineon Technologies 制造商 Infineon Technologies  晶体管 - FET，MOSFET - 单 制造商 Infineon Technologies  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 制造商 Infineon Technologies   安装类型 表面贴装  Infineon Technologies 安装类型 表面贴装  晶体管 - FET，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装   工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Infineon Technologies 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）   系列 SIPMOS?  Infineon Technologies 系列 SIPMOS?  晶体管 - FET，MOSFET - 单 系列 SIPMOS?  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 系列 SIPMOS?   包装 剪切带（CT）   Infineon Technologies 包装 剪切带（CT）   晶体管 - FET，MOSFET - 单 包装 剪切带（CT）   Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 包装 剪切带（CT）    零件状态 在售  Infineon Technologies 零件状态 在售  晶体管 - FET，MOSFET - 单 零件状态 在售  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 零件状态 在售   供应商器件封装 PG-SOT223-4  Infineon Technologies 供应商器件封装 PG-SOT223-4  晶体管 - FET，MOSFET - 单 供应商器件封装 PG-SOT223-4  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 供应商器件封装 PG-SOT223-4   技术 MOSFET（金属氧化物）  Infineon Technologies 技术 MOSFET（金属氧化物）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 技术 MOSFET（金属氧化物）  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 技术 MOSFET（金属氧化物）   Vgs（最大值） ±20V  Infineon Technologies Vgs（最大值） ±20V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 Vgs（最大值） ±20V  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 Vgs（最大值） ±20V   不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 5.7nC @ 5V  Infineon Technologies 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 5.7nC @ 5V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 5.7nC @ 5V  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 5.7nC @ 5V   不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 6 欧姆 @ 350mA，10V  Infineon Technologies 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 6 欧姆 @ 350mA，10V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 6 欧姆 @ 350mA，10V  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 6 欧姆 @ 350mA，10V   驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 0V，10V  Infineon Technologies 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 0V，10V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 0V，10V  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 0V，10V   FET 类型 N 沟道  Infineon Technologies FET 类型 N 沟道  晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道   电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 350mA（Ta）  Infineon Technologies 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 350mA（Ta）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 350mA（Ta）  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 350mA（Ta）   不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 108pF @ 25V  Infineon Technologies 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 108pF @ 25V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 108pF @ 25V  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 108pF @ 25V   FET 功能 耗尽模式  Infineon Technologies FET 功能 耗尽模式  晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 功能 耗尽模式  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 功能 耗尽模式   不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 108μA  Infineon Technologies 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 108μA  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 108μA  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 108μA   功率耗散（最大值） 1.8W（Ta）  Infineon Technologies 功率耗散（最大值） 1.8W（Ta）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 功率耗散（最大值） 1.8W（Ta）  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 功率耗散（最大值） 1.8W（Ta）   漏源电压（Vdss） 240V  Infineon Technologies 漏源电压（Vdss） 240V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 漏源电压（Vdss） 240V  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 漏源电压（Vdss） 240V  
电话:400-900-3095
QQ:800152669
st（意法）简介  |  st产品  |   st动态  |  产品应用  |  st选型手册
Copyright © 2017 www.st-ic.com All Rights Reserved. 技术支持：电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号