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BSP149L6327HTSA1
BSP149L6327HTSA1 -
MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223
已过时的产品。
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制造商:
Infineon Technologies
Infineon Technologies
制造商产品编号:
BSP149L6327HTSA1
仓库库存编号:
BSP149L6327HTSA1CT-ND
描述:
MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
表面贴装 N 沟道 200V 660mA(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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BSP149L6327HTSA1产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-261-4,TO-261AA
制造商
Infineon Technologies
安装类型
表面贴装
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
系列
SIPMOS?
包装
剪切带(CT)
零件状态
过期
供应商器件封装
PG-SOT223-4
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
14nC @ 5V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
1.8 欧姆 @ 660mA,10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
0V,10V
FET 类型
N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
660mA(Ta)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
430pF @ 25V
FET 功能
耗尽模式
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
1V @ 400μA
功率耗散(最大值)
1.8W(Ta)
漏源电压(Vdss)
200V
关键词
产品资料
数据列表
BSP149
标准包装
1
其它名称
BSP149L6327
BSP149L6327INCT
BSP149L6327INCT-ND
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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操作
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 660mA(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP149H6327XTSA1
仓库库存编号:
BSP149H6327XTSA1CT-ND
别名:BSP149H6327XTSA1CT
无铅
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制造商 Infineon Technologies
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包装 剪切带(CT)
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供应商器件封装 PG-SOT223-4
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技术 MOSFET(金属氧化物)
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不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 14nC @ 5V
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不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 400μA
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功率耗散(最大值) 1.8W(Ta)
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