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产品规格

封装/外壳	TO-261-4，TO-261AA
制造商	Infineon Technologies
安装类型	表面贴装
工作温度	150°C（TJ）
系列	-
包装	带卷（TR）
零件状态	过期
供应商器件封装	PG-SOT223-4
晶体管类型	PNP - 达林顿
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）	2000 @ 500mA，10V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	60V
Power - Max	1.5W
电流 - 集电极截止（最大值）	10μA
Current - Collector (Ic) (Max)	1A
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）	1.8V @ 1mA，1A
频率 - 跃迁	200MHz
关键词

产品资料

数据列表	BSP60-62
标准包装	1,000
其它名称	BSP 61 E6327 BSP 61 E6327-ND BSP61E6327BTSA1 BSP61E6327XT SP000011132

封装/外壳 TO-261-4，TO-261AA  Infineon Technologies 封装/外壳 TO-261-4，TO-261AA  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 TO-261-4，TO-261AA  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 TO-261-4，TO-261AA   制造商 Infineon Technologies  Infineon Technologies 制造商 Infineon Technologies  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 Infineon Technologies  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 Infineon Technologies   安装类型 表面贴装  Infineon Technologies 安装类型 表面贴装  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 表面贴装  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 表面贴装   工作温度 150°C（TJ）  Infineon Technologies 工作温度 150°C（TJ）  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 150°C（TJ）  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 150°C（TJ）   系列 -  Infineon Technologies 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -   包装 带卷（TR）   Infineon Technologies 包装 带卷（TR）   晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 带卷（TR）   Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 带卷（TR）    零件状态 过期  Infineon Technologies 零件状态 过期  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 过期  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 过期   供应商器件封装 PG-SOT223-4  Infineon Technologies 供应商器件封装 PG-SOT223-4  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 PG-SOT223-4  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 PG-SOT223-4   晶体管类型 PNP - 达林顿  Infineon Technologies 晶体管类型 PNP - 达林顿  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 PNP - 达林顿  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 PNP - 达林顿   不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 2000 @ 500mA，10V  Infineon Technologies 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 2000 @ 500mA，10V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 2000 @ 500mA，10V  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 2000 @ 500mA，10V   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 60V  Infineon Technologies Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 60V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 60V  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 60V   Power - Max 1.5W  Infineon Technologies Power - Max 1.5W  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 1.5W  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 1.5W   电流 - 集电极截止（最大值） 10μA  Infineon Technologies 电流 - 集电极截止（最大值） 10μA  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止（最大值） 10μA  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止（最大值） 10μA   Current - Collector (Ic) (Max) 1A  Infineon Technologies Current - Collector (Ic) (Max) 1A  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 1A  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 1A   不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 1.8V @ 1mA，1A  Infineon Technologies 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 1.8V @ 1mA，1A  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 1.8V @ 1mA，1A  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 1.8V @ 1mA，1A   频率 - 跃迁 200MHz  Infineon Technologies 频率 - 跃迁 200MHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 200MHz  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 200MHz