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BSP88L6327HTSA1
BSP88L6327HTSA1 -
MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223
已过时的产品。
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Infineon Technologies
Infineon Technologies
制造商产品编号:
BSP88L6327HTSA1
仓库库存编号:
BSP88L6327HTSA1CT-ND
描述:
MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
表面贴装 N 沟道 240V 350mA(Ta) 1.7W(Ta) PG-SOT223-4
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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BSP88L6327HTSA1产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-261-4,TO-261AA
制造商
Infineon Technologies
安装类型
表面贴装
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
系列
SIPMOS?
包装
剪切带(CT)
零件状态
过期
供应商器件封装
PG-SOT223-4
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
6.8nC @ 10V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
6 欧姆 @ 350mA,10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
2.8V,4.5V
FET 类型
N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
350mA(Ta)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
95pF @ 25V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
1.4V @ 108μA
功率耗散(最大值)
1.7W(Ta)
漏源电压(Vdss)
240V
关键词
产品资料
标准包装
1
其它名称
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