BSS138WH6327XTSA1,Infineon Technologies,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 单
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
>
晶体管 - FET,MOSFET - 单
>
BSS138WH6327XTSA1
BSS138WH6327XTSA1 -
MOSFET N-CH 60V 280MA SOT-323
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Infineon Technologies
Infineon Technologies
制造商产品编号:
BSS138WH6327XTSA1
仓库库存编号:
BSS138WH6327XTSA1CT-ND
描述:
MOSFET N-CH 60V 280MA SOT-323
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
表面贴装 N 沟道 280mA(Ta) 500mW(Ta) PG-SOT323-3
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
BSS138WH6327XTSA1产品属性
产品规格
封装/外壳
SC-70,SOT-323
制造商
Infineon Technologies
安装类型
表面贴装
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
系列
SIPMOS?
包装
剪切带(CT)
零件状态
在售
供应商器件封装
PG-SOT323-3
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
1.5nC @ 10V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
3.5 欧姆 @ 200mA,10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
FET 类型
N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
280mA(Ta)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
43pF @ 25V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
1.4V @ 26μA
功率耗散(最大值)
500mW(Ta)
漏源电压(Vdss)
60V
关键词
产品资料
数据列表
BSS138W
标准包装
1
其它名称
BSS138WH6327XTSA1CT
BSS138WH6327XTSA1您可能还对以下元器件感兴趣
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Micro Commercial Co
DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD323
详细描述:标准 表面贴装 二极管 150mA SOD-323
型号:
1N4148WX-TP
仓库库存编号:
1N4148WXTPMSCT-ND
别名:1N4148WXTPMSCT
无铅
搜索
Panasonic Electronic Components
DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SSMINI2
详细描述:肖特基 表面贴装 二极管 200mA SSMini2-F5-B
型号:
DB2S31000L
仓库库存编号:
DB2S31000LCT-ND
别名:DB2S31000LCT
无铅
搜索
Texas Instruments
IC BUFFER GATE SGL CMOS SC70-5
详细描述:Buffer, Non-Inverting Element 1 Bit per Element Push-Pull Output SC-70-5
型号:
SN74LV1T34DCKR
仓库库存编号:
296-37177-1-ND
别名:296-37177-1
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 150MA SOT-323
详细描述:表面贴装 P 沟道 150mA(Ta) 300mW(Ta) PG-SOT323-3
型号:
BSS84PWH6327XTSA1
仓库库存编号:
BSS84PWH6327XTSA1CT-ND
别名:BSS84PWH6327XTSA1CT
无铅
搜索
BSS138WH6327XTSA1相关搜索
封装/外壳 SC-70,SOT-323
Infineon Technologies 封装/外壳 SC-70,SOT-323
晶体管 - FET,MOSFET - 单 封装/外壳 SC-70,SOT-323
Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 单 封装/外壳 SC-70,SOT-323
制造商 Infineon Technologies
Infineon Technologies 制造商 Infineon Technologies
晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 Infineon Technologies
Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 Infineon Technologies
安装类型 表面贴装
Infineon Technologies 安装类型 表面贴装
晶体管 - FET,MOSFET - 单 安装类型 表面贴装
Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 单 安装类型 表面贴装
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
Infineon Technologies 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
系列 SIPMOS?
Infineon Technologies 系列 SIPMOS?
晶体管 - FET,MOSFET - 单 系列 SIPMOS?
Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 单 系列 SIPMOS?
包装 剪切带(CT)
Infineon Technologies 包装 剪切带(CT)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 包装 剪切带(CT)
Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 单 包装 剪切带(CT)
零件状态 在售
Infineon Technologies 零件状态 在售
晶体管 - FET,MOSFET - 单 零件状态 在售
Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 单 零件状态 在售
供应商器件封装 PG-SOT323-3
Infineon Technologies 供应商器件封装 PG-SOT323-3
晶体管 - FET,MOSFET - 单 供应商器件封装 PG-SOT323-3
Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 单 供应商器件封装 PG-SOT323-3
技术 MOSFET(金属氧化物)
Infineon Technologies 技术 MOSFET(金属氧化物)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 技术 MOSFET(金属氧化物)
Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 单 技术 MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值) ±20V
Infineon Technologies Vgs(最大值) ±20V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 Vgs(最大值) ±20V
Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 单 Vgs(最大值) ±20V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 1.5nC @ 10V
Infineon Technologies 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 1.5nC @ 10V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 1.5nC @ 10V
Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 1.5nC @ 10V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 3.5 欧姆 @ 200mA,10V
Infineon Technologies 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 3.5 欧姆 @ 200mA,10V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 3.5 欧姆 @ 200mA,10V
Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 3.5 欧姆 @ 200mA,10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
Infineon Technologies 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 单 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
FET 类型 N 沟道
Infineon Technologies FET 类型 N 沟道
晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道
Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 280mA(Ta)
Infineon Technologies 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 280mA(Ta)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 280mA(Ta)
Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 单 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 280mA(Ta)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 43pF @ 25V
Infineon Technologies 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 43pF @ 25V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 43pF @ 25V
Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 43pF @ 25V
FET 功能 -
Infineon Technologies FET 功能 -
晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 功能 -
Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 功能 -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.4V @ 26μA
Infineon Technologies 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.4V @ 26μA
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.4V @ 26μA
Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.4V @ 26μA
功率耗散(最大值) 500mW(Ta)
Infineon Technologies 功率耗散(最大值) 500mW(Ta)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 500mW(Ta)
Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 500mW(Ta)
漏源电压(Vdss) 60V
Infineon Technologies 漏源电压(Vdss) 60V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 60V
Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 60V
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号