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BSZ086P03NS3E G - 

MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8

Infineon Technologies BSZ086P03NS3E G
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
BSZ086P03NS3E G
仓库库存编号：
BSZ086P03NS3E GCT-ND
描述：
MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
表面贴装 P 沟道 13.5A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），69W（Tc） PG-TSDSON-8
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！

BSZ086P03NS3E G产品属性


产品规格
  封装/外壳  8-PowerTDFN  
  制造商  Infineon Technologies  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -55°C ~ 150°C（TJ）  
  系列  OptiMOS??  
  包装  剪切带（CT）   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  PG-TSDSON-8  
  技术  MOSFET（金属氧化物）  
  Vgs（最大值）  ±25V  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）  57.5nC @ 10V  
  不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）  8.6 毫欧 @ 20A，10V  
  驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）  6V，10V  
  FET 类型  P 沟道  
  电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）  13.5A（Ta），40A（Tc）  
  不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）  4785pF @ 15V  
  FET 功能  -  
  不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）  3.1V @ 105μA  
  功率耗散（最大值）  2.1W（Ta），69W（Tc）  
  漏源电压（Vdss）  30V  
关键词         

产品资料
数据列表 BSZ086P03NS3E G
标准包装 1
其它名称 BSZ086P03NS3E GCT

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