BSZ15DC02KDHXTMA1,Infineon Technologies,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
st代理商
专业代理销售st(意法)全系列产品
库存查询
在本站结果里搜索:    
热门搜索词:电容器   Vicor   MXP7205VW   STM32F103C8T6   1379658-1   UVX  

BSZ15DC02KDHXTMA1 - 

MOSFET N/P-CH 20V 8TDSON

Infineon Technologies BSZ15DC02KDHXTMA1
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
BSZ15DC02KDHXTMA1
仓库库存编号:
BSZ15DC02KDHXTMA1CT-ND
描述:
MOSFET N/P-CH 20V 8TDSON
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
Mosfet Array N and P-Channel Complementary 20V 5.1A, 3.2A 2.5W Surface Mount PG-TSDSON-8-FL
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!

BSZ15DC02KDHXTMA1产品属性


产品规格
  封装/外壳  8-PowerTDFN  
  制造商  Infineon Technologies  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -55°C ~ 175°C(TJ)  
  系列  汽车级,AEC-Q101,HEXFET?  
  包装  剪切带(CT)   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  PG-TSDSON-8-FL  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)  2.8nC @ 4.5V  
  不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)  55 毫欧 @ 5.1A, 4.5V  
  FET 类型  N 和 P 沟道互补型  
  电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)  5.1A, 3.2A  
  不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)  419pF @ 10V  
  FET 功能  逻辑电平栅极,2.5V 驱动  
  不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)  1.4V @ 110μA  
  漏源电压(Vdss)  20V  
  功率 - 最大值  2.5W  
关键词         

产品资料
数据列表 BSZ15DC02KDH
标准包装 1
其它名称 BSZ15DC02KDHXTMA1CT

BSZ15DC02KDHXTMA1您可能还对以下元器件感兴趣

  • 参考图片
  • 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
  • PDF
  • 操作

BSZ15DC02KDHXTMA1相关搜索

封装/外壳 8-PowerTDFN  Infineon Technologies 封装/外壳 8-PowerTDFN  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 封装/外壳 8-PowerTDFN  Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 封装/外壳 8-PowerTDFN   制造商 Infineon Technologies  Infineon Technologies 制造商 Infineon Technologies  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 制造商 Infineon Technologies  Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 制造商 Infineon Technologies   安装类型 表面贴装  Infineon Technologies 安装类型 表面贴装  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装  Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装   工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)  Infineon Technologies 工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)  Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)   系列 汽车级,AEC-Q101,HEXFET?  Infineon Technologies 系列 汽车级,AEC-Q101,HEXFET?  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 系列 汽车级,AEC-Q101,HEXFET?  Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 系列 汽车级,AEC-Q101,HEXFET?   包装 剪切带(CT)   Infineon Technologies 包装 剪切带(CT)   晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 包装 剪切带(CT)   Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 包装 剪切带(CT)    零件状态 在售  Infineon Technologies 零件状态 在售  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 零件状态 在售  Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 零件状态 在售   供应商器件封装 PG-TSDSON-8-FL  Infineon Technologies 供应商器件封装 PG-TSDSON-8-FL  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 供应商器件封装 PG-TSDSON-8-FL  Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 供应商器件封装 PG-TSDSON-8-FL   不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 2.8nC @ 4.5V  Infineon Technologies 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 2.8nC @ 4.5V  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 2.8nC @ 4.5V  Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 2.8nC @ 4.5V   不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 55 毫欧 @ 5.1A, 4.5V  Infineon Technologies 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 55 毫欧 @ 5.1A, 4.5V  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 55 毫欧 @ 5.1A, 4.5V  Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 55 毫欧 @ 5.1A, 4.5V   FET 类型 N 和 P 沟道互补型  Infineon Technologies FET 类型 N 和 P 沟道互补型  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 FET 类型 N 和 P 沟道互补型  Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 FET 类型 N 和 P 沟道互补型   电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.1A, 3.2A  Infineon Technologies 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.1A, 3.2A  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.1A, 3.2A  Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.1A, 3.2A   不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 419pF @ 10V  Infineon Technologies 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 419pF @ 10V  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 419pF @ 10V  Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 419pF @ 10V   FET 功能 逻辑电平栅极,2.5V 驱动  Infineon Technologies FET 功能 逻辑电平栅极,2.5V 驱动  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 FET 功能 逻辑电平栅极,2.5V 驱动  Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 FET 功能 逻辑电平栅极,2.5V 驱动   不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.4V @ 110μA  Infineon Technologies 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.4V @ 110μA  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.4V @ 110μA  Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.4V @ 110μA   漏源电压(Vdss) 20V  Infineon Technologies 漏源电压(Vdss) 20V  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 漏源电压(Vdss) 20V  Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 漏源电压(Vdss) 20V   功率 - 最大值 2.5W  Infineon Technologies 功率 - 最大值 2.5W  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 2.5W  Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 2.5W  
电话:400-900-3095
QQ:800152669
st(意法)简介  |  st产品  |   st动态  |  产品应用  |  st选型手册
Copyright © 2017 www.st-ic.com All Rights Reserved. 技术支持:电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号