关于我们 | 联系我们

库存查询

• 已过时的产品。

产品规格

封装/外壳	TO-220-3
制造商	Infineon Technologies
安装类型	通孔
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
系列	TEMPFET?
包装	管件
零件状态	过期
供应商器件封装	P-TO220AB
技术	MOSFET（金属氧化物）
Vgs（最大值）	±10V
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）	-
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）	170 毫欧 @ 5.8A，4.5V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	4.5V
FET 类型	N 沟道
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	11.5A（Tc）
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	560pF @ 25V
FET 功能	-
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	2.5V @ 1mA
功率耗散（最大值）	40W（Tc）
漏源电压（Vdss）	60V
关键词

产品资料

标准包装	500
其它名称	BTS113A E3064 BTS113A E3064-ND BTS113AE3064 SP000011189

封装/外壳 TO-220-3  Infineon Technologies 封装/外壳 TO-220-3  晶体管 - FET，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-220-3  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-220-3   制造商 Infineon Technologies  Infineon Technologies 制造商 Infineon Technologies  晶体管 - FET，MOSFET - 单 制造商 Infineon Technologies  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 制造商 Infineon Technologies   安装类型 通孔  Infineon Technologies 安装类型 通孔  晶体管 - FET，MOSFET - 单 安装类型 通孔  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 安装类型 通孔   工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Infineon Technologies 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）   系列 TEMPFET?  Infineon Technologies 系列 TEMPFET?  晶体管 - FET，MOSFET - 单 系列 TEMPFET?  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 系列 TEMPFET?   包装 管件   Infineon Technologies 包装 管件   晶体管 - FET，MOSFET - 单 包装 管件   Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 包装 管件    零件状态 过期  Infineon Technologies 零件状态 过期  晶体管 - FET，MOSFET - 单 零件状态 过期  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 零件状态 过期   供应商器件封装 P-TO220AB  Infineon Technologies 供应商器件封装 P-TO220AB  晶体管 - FET，MOSFET - 单 供应商器件封装 P-TO220AB  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 供应商器件封装 P-TO220AB   技术 MOSFET（金属氧化物）  Infineon Technologies 技术 MOSFET（金属氧化物）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 技术 MOSFET（金属氧化物）  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 技术 MOSFET（金属氧化物）   Vgs（最大值） ±10V  Infineon Technologies Vgs（最大值） ±10V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 Vgs（最大值） ±10V  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 Vgs（最大值） ±10V   不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -  Infineon Technologies 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -   不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 170 毫欧 @ 5.8A，4.5V  Infineon Technologies 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 170 毫欧 @ 5.8A，4.5V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 170 毫欧 @ 5.8A，4.5V  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 170 毫欧 @ 5.8A，4.5V   驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V  Infineon Technologies 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V   FET 类型 N 沟道  Infineon Technologies FET 类型 N 沟道  晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道   电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 11.5A（Tc）  Infineon Technologies 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 11.5A（Tc）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 11.5A（Tc）  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 11.5A（Tc）   不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 560pF @ 25V  Infineon Technologies 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 560pF @ 25V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 560pF @ 25V  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 560pF @ 25V   FET 功能 -  Infineon Technologies FET 功能 -  晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 功能 -  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 功能 -   不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 1mA  Infineon Technologies 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 1mA  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 1mA  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 1mA   功率耗散（最大值） 40W（Tc）  Infineon Technologies 功率耗散（最大值） 40W（Tc）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 功率耗散（最大值） 40W（Tc）  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 功率耗散（最大值） 40W（Tc）   漏源电压（Vdss） 60V  Infineon Technologies 漏源电压（Vdss） 60V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 漏源电压（Vdss） 60V  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 漏源电压（Vdss） 60V