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产品规格

封装/外壳	模块
制造商	Infineon Technologies
安装类型	底座安装
工作温度	-40°C ~ 150°C（TJ）
系列	-
零件状态	过期
供应商器件封装	模块
输入	标准
配置	三相反相器
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	650V
Power - Max	790W
Current - Collector (Ic) (Max)	250A
IGBT 类型	-
不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）	1.9V @ 15V，200A
NTC 热敏电阻	是
不同?Vce 时的输入电容（Cies）	13nF @ 25V
Current - Collector Cutoff (Max)	1mA
关键词

产品资料

数据列表	FS200R07A1E3
标准包装	4
其它名称	FS200R07A1E3 FS200R07A1E3-ND FS200R07A1E3HOSA1 SP000663442

封装/外壳 模块  Infineon Technologies 封装/外壳 模块  晶体管 - IGBT - 模块 封装/外壳 模块  Infineon Technologies 晶体管 - IGBT - 模块 封装/外壳 模块   制造商 Infineon Technologies  Infineon Technologies 制造商 Infineon Technologies  晶体管 - IGBT - 模块 制造商 Infineon Technologies  Infineon Technologies 晶体管 - IGBT - 模块 制造商 Infineon Technologies   安装类型 底座安装  Infineon Technologies 安装类型 底座安装  晶体管 - IGBT - 模块 安装类型 底座安装  Infineon Technologies 晶体管 - IGBT - 模块 安装类型 底座安装   工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）  Infineon Technologies 工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - IGBT - 模块 工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）  Infineon Technologies 晶体管 - IGBT - 模块 工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）   系列 -  Infineon Technologies 系列 -  晶体管 - IGBT - 模块 系列 -  Infineon Technologies 晶体管 - IGBT - 模块 系列 -   零件状态 过期  Infineon Technologies 零件状态 过期  晶体管 - IGBT - 模块 零件状态 过期  Infineon Technologies 晶体管 - IGBT - 模块 零件状态 过期   供应商器件封装 模块  Infineon Technologies 供应商器件封装 模块  晶体管 - IGBT - 模块 供应商器件封装 模块  Infineon Technologies 晶体管 - IGBT - 模块 供应商器件封装 模块   输入 标准  Infineon Technologies 输入 标准  晶体管 - IGBT - 模块 输入 标准  Infineon Technologies 晶体管 - IGBT - 模块 输入 标准   配置 三相反相器  Infineon Technologies 配置 三相反相器  晶体管 - IGBT - 模块 配置 三相反相器  Infineon Technologies 晶体管 - IGBT - 模块 配置 三相反相器   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V  Infineon Technologies Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V  晶体管 - IGBT - 模块 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V  Infineon Technologies 晶体管 - IGBT - 模块 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V   Power - Max 790W  Infineon Technologies Power - Max 790W  晶体管 - IGBT - 模块 Power - Max 790W  Infineon Technologies 晶体管 - IGBT - 模块 Power - Max 790W   Current - Collector (Ic) (Max) 250A  Infineon Technologies Current - Collector (Ic) (Max) 250A  晶体管 - IGBT - 模块 Current - Collector (Ic) (Max) 250A  Infineon Technologies 晶体管 - IGBT - 模块 Current - Collector (Ic) (Max) 250A   IGBT 类型 -  Infineon Technologies IGBT 类型 -  晶体管 - IGBT - 模块 IGBT 类型 -  Infineon Technologies 晶体管 - IGBT - 模块 IGBT 类型 -   不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 1.9V @ 15V，200A  Infineon Technologies 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 1.9V @ 15V，200A  晶体管 - IGBT - 模块 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 1.9V @ 15V，200A  Infineon Technologies 晶体管 - IGBT - 模块 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 1.9V @ 15V，200A   NTC 热敏电阻 是  Infineon Technologies NTC 热敏电阻 是  晶体管 - IGBT - 模块 NTC 热敏电阻 是  Infineon Technologies 晶体管 - IGBT - 模块 NTC 热敏电阻 是   不同?Vce 时的输入电容（Cies） 13nF @ 25V  Infineon Technologies 不同?Vce 时的输入电容（Cies） 13nF @ 25V  晶体管 - IGBT - 模块 不同?Vce 时的输入电容（Cies） 13nF @ 25V  Infineon Technologies 晶体管 - IGBT - 模块 不同?Vce 时的输入电容（Cies） 13nF @ 25V   Current - Collector Cutoff (Max) 1mA  Infineon Technologies Current - Collector Cutoff (Max) 1mA  晶体管 - IGBT - 模块 Current - Collector Cutoff (Max) 1mA  Infineon Technologies 晶体管 - IGBT - 模块 Current - Collector Cutoff (Max) 1mA