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IDK04G65C5XTMA1
IDK04G65C5XTMA1 -
DIODE SCHOTTKY 650V 4A TO263-2
不再生产的版本 请参阅“替代封装”或“替代品”选项。
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Infineon Technologies
Infineon Technologies
制造商产品编号:
IDK04G65C5XTMA1
仓库库存编号:
IDK04G65C5XTMA1-ND
描述:
DIODE SCHOTTKY 650V 4A TO263-2
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
碳化硅肖特基 表面贴装 二极管 650V 4A(DC) PG-TO263-2
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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IDK04G65C5XTMA1产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
制造商
Infineon Technologies
安装类型
表面贴装
系列
thinQ!??
包装
带卷(TR)
零件状态
已不再提供
供应商器件封装
PG-TO263-2
不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流
670μA @ 650V
反向恢复时间(trr)
0ns
电流 - 平均整流(Io)
4A(DC)
不同 If 时的电压 - 正向(Vf)
1.8V @ 4A
工作温度 - 结
-55°C ~ 175°C
二极管类型
碳化硅肖特基
电压 - DC 反向(Vr)(最大值)
650V
不同?Vr,F 时的电容
130pF @ 1V,1MHz
速度
无恢复时间 > 500mA(Io)
关键词
产品资料
数据列表
IDK04G65C5
标准包装
1,000
其它名称
SP000930844
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Infineon Technologies 二极管 - 整流器 - 单 封装/外壳 TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
制造商 Infineon Technologies
Infineon Technologies 制造商 Infineon Technologies
二极管 - 整流器 - 单 制造商 Infineon Technologies
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安装类型 表面贴装
Infineon Technologies 安装类型 表面贴装
二极管 - 整流器 - 单 安装类型 表面贴装
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系列 thinQ!??
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二极管 - 整流器 - 单 系列 thinQ!??
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包装 带卷(TR)
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二极管 - 整流器 - 单 包装 带卷(TR)
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零件状态 已不再提供
Infineon Technologies 零件状态 已不再提供
二极管 - 整流器 - 单 零件状态 已不再提供
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供应商器件封装 PG-TO263-2
Infineon Technologies 供应商器件封装 PG-TO263-2
二极管 - 整流器 - 单 供应商器件封装 PG-TO263-2
Infineon Technologies 二极管 - 整流器 - 单 供应商器件封装 PG-TO263-2
不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 670μA @ 650V
Infineon Technologies 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 670μA @ 650V
二极管 - 整流器 - 单 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 670μA @ 650V
Infineon Technologies 二极管 - 整流器 - 单 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 670μA @ 650V
反向恢复时间(trr) 0ns
Infineon Technologies 反向恢复时间(trr) 0ns
二极管 - 整流器 - 单 反向恢复时间(trr) 0ns
Infineon Technologies 二极管 - 整流器 - 单 反向恢复时间(trr) 0ns
电流 - 平均整流(Io) 4A(DC)
Infineon Technologies 电流 - 平均整流(Io) 4A(DC)
二极管 - 整流器 - 单 电流 - 平均整流(Io) 4A(DC)
Infineon Technologies 二极管 - 整流器 - 单 电流 - 平均整流(Io) 4A(DC)
不同 If 时的电压 - 正向(Vf) 1.8V @ 4A
Infineon Technologies 不同 If 时的电压 - 正向(Vf) 1.8V @ 4A
二极管 - 整流器 - 单 不同 If 时的电压 - 正向(Vf) 1.8V @ 4A
Infineon Technologies 二极管 - 整流器 - 单 不同 If 时的电压 - 正向(Vf) 1.8V @ 4A
工作温度 - 结 -55°C ~ 175°C
Infineon Technologies 工作温度 - 结 -55°C ~ 175°C
二极管 - 整流器 - 单 工作温度 - 结 -55°C ~ 175°C
Infineon Technologies 二极管 - 整流器 - 单 工作温度 - 结 -55°C ~ 175°C
二极管类型 碳化硅肖特基
Infineon Technologies 二极管类型 碳化硅肖特基
二极管 - 整流器 - 单 二极管类型 碳化硅肖特基
Infineon Technologies 二极管 - 整流器 - 单 二极管类型 碳化硅肖特基
电压 - DC 反向(Vr)(最大值) 650V
Infineon Technologies 电压 - DC 反向(Vr)(最大值) 650V
二极管 - 整流器 - 单 电压 - DC 反向(Vr)(最大值) 650V
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不同?Vr,F 时的电容 130pF @ 1V,1MHz
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二极管 - 整流器 - 单 不同?Vr,F 时的电容 130pF @ 1V,1MHz
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速度 无恢复时间 > 500mA(Io)
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二极管 - 整流器 - 单 速度 无恢复时间 > 500mA(Io)
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