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产品规格

封装/外壳	TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
制造商	Infineon Technologies
安装类型	表面贴装
工作温度	-40°C ~ 175°C（TJ）
系列	TrenchStop?
包装	剪切带（CT）
零件状态	在售
供应商器件封装	PG-TO263-3-2
输入类型	标准
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	600V
Power - Max	333W
Current - Collector (Ic) (Max)	100A
测试条件	400V，50A，7 欧姆，15V
开关能量	2.6mJ
Current - Collector Pulsed (Icm)	150A
IGBT 类型	沟道
不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）	2V @ 15V，50A
25°C 时 Td（开/关）值	26ns/299ns
栅极电荷	310nC
关键词

产品资料

数据列表	IGB50N60T
标准包装	1
其它名称	IGB50N60TCT

封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB  Infineon Technologies 封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB   制造商 Infineon Technologies  Infineon Technologies 制造商 Infineon Technologies  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 Infineon Technologies  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 Infineon Technologies   安装类型 表面贴装  Infineon Technologies 安装类型 表面贴装  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装   工作温度 -40°C ~ 175°C（TJ）  Infineon Technologies 工作温度 -40°C ~ 175°C（TJ）  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 工作温度 -40°C ~ 175°C（TJ）  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 工作温度 -40°C ~ 175°C（TJ）   系列 TrenchStop?  Infineon Technologies 系列 TrenchStop?  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 TrenchStop?  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 TrenchStop?   包装 剪切带（CT）   Infineon Technologies 包装 剪切带（CT）   晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 包装 剪切带（CT）   Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 包装 剪切带（CT）    零件状态 在售  Infineon Technologies 零件状态 在售  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 零件状态 在售  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 零件状态 在售   供应商器件封装 PG-TO263-3-2  Infineon Technologies 供应商器件封装 PG-TO263-3-2  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 PG-TO263-3-2  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 PG-TO263-3-2   输入类型 标准  Infineon Technologies 输入类型 标准  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 标准  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 标准   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V  Infineon Technologies Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V   Power - Max 333W  Infineon Technologies Power - Max 333W  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Power - Max 333W  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Power - Max 333W   Current - Collector (Ic) (Max) 100A  Infineon Technologies Current - Collector (Ic) (Max) 100A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 100A  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 100A   测试条件 400V，50A，7 欧姆，15V  Infineon Technologies 测试条件 400V，50A，7 欧姆，15V  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 测试条件 400V，50A，7 欧姆，15V  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 测试条件 400V，50A，7 欧姆，15V   开关能量 2.6mJ  Infineon Technologies 开关能量 2.6mJ  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 开关能量 2.6mJ  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 开关能量 2.6mJ   Current - Collector Pulsed (Icm) 150A  Infineon Technologies Current - Collector Pulsed (Icm) 150A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 150A  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 150A   IGBT 类型 沟道  Infineon Technologies IGBT 类型 沟道  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 沟道  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 沟道   不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2V @ 15V，50A  Infineon Technologies 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2V @ 15V，50A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2V @ 15V，50A  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2V @ 15V，50A   25°C 时 Td（开/关）值 26ns/299ns  Infineon Technologies 25°C 时 Td（开/关）值 26ns/299ns  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 26ns/299ns  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 26ns/299ns   栅极电荷 310nC  Infineon Technologies 栅极电荷 310nC  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 栅极电荷 310nC  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 栅极电荷 310nC