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IGB50N60T - 

IGBT 600V 100A 333W TO263-3

Infineon Technologies IGB50N60T
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
IGB50N60T
仓库库存编号：
IGB50N60TCT-ND
描述：
IGBT 600V 100A 333W TO263-3
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
IGBT Trench 600V 100A 333W Surface Mount PG-TO263-3-2
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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IGB50N60T产品属性


产品规格
  封装/外壳  TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB  
  制造商  Infineon Technologies  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -40°C ~ 175°C（TJ）  
  系列  TrenchStop?  
  包装  剪切带（CT）   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  PG-TO263-3-2  
  输入类型  标准  
  Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)  600V  
  Power - Max  333W  
  Current - Collector (Ic) (Max)  100A  
  测试条件  400V，50A，7 欧姆，15V  
  开关能量  2.6mJ  
  Current - Collector Pulsed (Icm)  150A  
  IGBT 类型  沟道  
  不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）  2V @ 15V，50A  
  25°C 时 Td（开/关）值  26ns/299ns  
  栅极电荷  310nC  
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产品资料
数据列表 IGB50N60T
标准包装 1
其它名称 IGB50N60TCT

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封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB  Infineon Technologies 封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB   制造商 Infineon Technologies  Infineon Technologies 制造商 Infineon Technologies  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 Infineon Technologies  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 Infineon Technologies   安装类型 表面贴装  Infineon Technologies 安装类型 表面贴装  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装   工作温度 -40°C ~ 175°C（TJ）  Infineon Technologies 工作温度 -40°C ~ 175°C（TJ）  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 工作温度 -40°C ~ 175°C（TJ）  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 工作温度 -40°C ~ 175°C（TJ）   系列 TrenchStop?  Infineon Technologies 系列 TrenchStop?  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 TrenchStop?  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 TrenchStop?   包装 剪切带（CT）   Infineon Technologies 包装 剪切带（CT）   晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 包装 剪切带（CT）   Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 包装 剪切带（CT）    零件状态 在售  Infineon Technologies 零件状态 在售  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 零件状态 在售  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 零件状态 在售   供应商器件封装 PG-TO263-3-2  Infineon Technologies 供应商器件封装 PG-TO263-3-2  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 PG-TO263-3-2  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 PG-TO263-3-2   输入类型 标准  Infineon Technologies 输入类型 标准  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 标准  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 标准   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V  Infineon Technologies Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V   Power - Max 333W  Infineon Technologies Power - Max 333W  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Power - Max 333W  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Power - Max 333W   Current - Collector (Ic) (Max) 100A  Infineon Technologies Current - Collector (Ic) (Max) 100A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 100A  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 100A   测试条件 400V，50A，7 欧姆，15V  Infineon Technologies 测试条件 400V，50A，7 欧姆，15V  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 测试条件 400V，50A，7 欧姆，15V  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 测试条件 400V，50A，7 欧姆，15V   开关能量 2.6mJ  Infineon Technologies 开关能量 2.6mJ  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 开关能量 2.6mJ  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 开关能量 2.6mJ   Current - Collector Pulsed (Icm) 150A  Infineon Technologies Current - Collector Pulsed (Icm) 150A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 150A  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 150A   IGBT 类型 沟道  Infineon Technologies IGBT 类型 沟道  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 沟道  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 沟道   不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2V @ 15V，50A  Infineon Technologies 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2V @ 15V，50A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2V @ 15V，50A  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2V @ 15V，50A   25°C 时 Td（开/关）值 26ns/299ns  Infineon Technologies 25°C 时 Td（开/关）值 26ns/299ns  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 26ns/299ns  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 26ns/299ns   栅极电荷 310nC  Infineon Technologies 栅极电荷 310nC  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 栅极电荷 310nC  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 栅极电荷 310nC  
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IGBT 600V 100A 333W TO263-3

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IGBT Transistors LOW LOSS IGBT TECH 600V 50A

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Trans IGBT Chip N-CH 600V 90A 333000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 3-Pin TO-263 T/R (Alt: IGB50N60T)

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Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 3-Pin(2+Tab) TO-263 - Tape and Reel (Alt: IGB50N60TATMA1)

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TO263-3/A?°/HIGHSPEED2 IGBT (Alt: IGB50N60TATMA1)

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Trans IGBT Chip N-CH 600V 90A 333000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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TRANSISTOR, IGBT, 600V, 90A, TO-263

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Infineon Technologies - IGB50N60T - IGBT 600V 100A 333W TO263-3		Infineon Technologies
IGBT 600V 100A 333W TO263-3
详细描述：IGBT Trench 600V 100A 333W Surface Mount PG-TO263-3-2

型号：IGB50N60T
仓库库存编号：IGB50N60TCT-ND
别名：IGB50N60TCT <br>

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Infineon Technologies		IGBT 600V 100A 333W TO263-3
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INFINEON		晶体管 IGBT 600V 50A TO263
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INFINEON		晶体管 IGBT 600V 50A TO263
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