IGW30N65L5XKSA1,Infineon Technologies,分立半导体产品,晶体管 - UGBT,MOSFET - 单
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IGW30N65L5XKSA1
IGW30N65L5XKSA1 -
IGBT 650V 30A TRENCHSTOP TO247-3
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Infineon Technologies
Infineon Technologies
制造商产品编号:
IGW30N65L5XKSA1
仓库库存编号:
IGW30N65L5XKSA1IN-ND
描述:
IGBT 650V 30A TRENCHSTOP TO247-3
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
IGBT 650V 85A 227W Through Hole PG-TO247-3
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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IGW30N65L5XKSA1产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-247-3
制造商
Infineon Technologies
安装类型
通孔
工作温度
-40°C ~ 175°C(TJ)
系列
TrenchStop? 5
包装
管件
零件状态
在售
供应商器件封装
PG-TO247-3
输入类型
标准
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650V
Power - Max
227W
Current - Collector (Ic) (Max)
85A
测试条件
400V,30A,10 欧姆,15V
开关能量
470μJ(开),1.35mJ(关)
Current - Collector Pulsed (Icm)
120A
IGBT 类型
-
不同?Vge,Ic 时的?Vce(on)
1.35V @ 15V,30A
25°C 时 Td(开/关)值
33ns/308ns
栅极电荷
168nC
关键词
产品资料
数据列表
IGW30N65L5
标准包装
240
其它名称
IGW30N65L5XKSA1IN
SP001174472
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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操作
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FERRITE CORE PM 10UH N87 2PCS
型号:
B65686A0000R087
仓库库存编号:
495-5178-ND
别名:495-5178
B65686A R 87
B65686AR87
B65686AR87-ND
无铅
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EPCOS (TDK)
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型号:
B65713A0000R087
仓库库存编号:
495-75896-ND
别名:495-75896
B65713A R 87
B65713AR87
B65713AR87-ND
无铅
搜索
Infineon Technologies
IGBT 650V 30A FAST DIODE TO247-3
详细描述:IGBT 650V 85A 227W Through Hole PG-TO247-3
型号:
IKW30N65EL5XKSA1
仓库库存编号:
IKW30N65EL5XKSA1IN-ND
别名:IKW30N65EL5XKSA1IN
SP001178080
无铅
搜索
Infineon Technologies
IGBT 650V 75A FAST DIODE TO247-3
详细描述:IGBT 650V 80A 536W Through Hole PG-TO247-3
型号:
IKW75N65EL5XKSA1
仓库库存编号:
IKW75N65EL5XKSA1IN-ND
别名:IKW75N65EL5XKSA1IN
SP001174464
无铅
搜索
Infineon Technologies
IGBT 650V 100A TO247-4
详细描述:IGBT 650V 100A 536W Surface Mount PG-TO247-4
型号:
IKZ75N65EL5XKSA1
仓库库存编号:
IKZ75N65EL5XKSA1-5-ND
别名:IKZ75N65EL5XKSA1-5
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栅极电荷 168nC
Infineon Technologies 栅极电荷 168nC
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 栅极电荷 168nC
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 栅极电荷 168nC
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