IHW30N110R3FKSA1,Infineon Technologies,分立半导体产品,晶体管 - UGBT,MOSFET - 单
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
>
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单
>
IHW30N110R3FKSA1
IHW30N110R3FKSA1 -
IGBT 1100V 60A 333W TO247-3
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Infineon Technologies
Infineon Technologies
制造商产品编号:
IHW30N110R3FKSA1
仓库库存编号:
IHW30N110R3FKSA1-ND
描述:
IGBT 1100V 60A 333W TO247-3
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
IGBT Trench 1100V 60A 333W Through Hole PG-TO247-3
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
IHW30N110R3FKSA1产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-247-3
制造商
Infineon Technologies
安装类型
通孔
工作温度
-40°C ~ 175°C(TJ)
系列
-
包装
管件
零件状态
在售
供应商器件封装
PG-TO247-3
输入类型
标准
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1100V
Power - Max
333W
Current - Collector (Ic) (Max)
60A
测试条件
600V,30A,15 欧姆,15V
开关能量
1.15mJ(关)
Current - Collector Pulsed (Icm)
90A
IGBT 类型
沟道
不同?Vge,Ic 时的?Vce(on)
1.75V @ 15V,30A
25°C 时 Td(开/关)值
-/350ns
栅极电荷
180nC
关键词
产品资料
数据列表
IHW30N110R3
标准包装
240
其它名称
IHW30N110R3
IHW30N110R3-ND
SP000702510
IHW30N110R3FKSA1您可能还对以下元器件感兴趣
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
IGBT 1350V 30A 170W TO247
详细描述:IGBT 1350V 60A 340W Through Hole TO-247
型号:
AOK30B135W1
仓库库存编号:
785-1724-5-ND
别名:785-1724-5
无铅
搜索
IHW30N110R3FKSA1相关搜索
封装/外壳 TO-247-3
Infineon Technologies 封装/外壳 TO-247-3
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 封装/外壳 TO-247-3
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 封装/外壳 TO-247-3
制造商 Infineon Technologies
Infineon Technologies 制造商 Infineon Technologies
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 制造商 Infineon Technologies
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 制造商 Infineon Technologies
安装类型 通孔
Infineon Technologies 安装类型 通孔
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 安装类型 通孔
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 安装类型 通孔
工作温度 -40°C ~ 175°C(TJ)
Infineon Technologies 工作温度 -40°C ~ 175°C(TJ)
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 工作温度 -40°C ~ 175°C(TJ)
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 工作温度 -40°C ~ 175°C(TJ)
系列 -
Infineon Technologies 系列 -
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 系列 -
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 系列 -
包装 管件
Infineon Technologies 包装 管件
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 包装 管件
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 包装 管件
零件状态 在售
Infineon Technologies 零件状态 在售
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 零件状态 在售
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 零件状态 在售
供应商器件封装 PG-TO247-3
Infineon Technologies 供应商器件封装 PG-TO247-3
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 供应商器件封装 PG-TO247-3
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 供应商器件封装 PG-TO247-3
输入类型 标准
Infineon Technologies 输入类型 标准
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 输入类型 标准
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 输入类型 标准
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1100V
Infineon Technologies Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1100V
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1100V
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1100V
Power - Max 333W
Infineon Technologies Power - Max 333W
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Power - Max 333W
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Power - Max 333W
Current - Collector (Ic) (Max) 60A
Infineon Technologies Current - Collector (Ic) (Max) 60A
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 60A
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 60A
测试条件 600V,30A,15 欧姆,15V
Infineon Technologies 测试条件 600V,30A,15 欧姆,15V
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 测试条件 600V,30A,15 欧姆,15V
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 测试条件 600V,30A,15 欧姆,15V
开关能量 1.15mJ(关)
Infineon Technologies 开关能量 1.15mJ(关)
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 开关能量 1.15mJ(关)
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 开关能量 1.15mJ(关)
Current - Collector Pulsed (Icm) 90A
Infineon Technologies Current - Collector Pulsed (Icm) 90A
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 90A
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 90A
IGBT 类型 沟道
Infineon Technologies IGBT 类型 沟道
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 IGBT 类型 沟道
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 IGBT 类型 沟道
不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 1.75V @ 15V,30A
Infineon Technologies 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 1.75V @ 15V,30A
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 1.75V @ 15V,30A
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 1.75V @ 15V,30A
25°C 时 Td(开/关)值 -/350ns
Infineon Technologies 25°C 时 Td(开/关)值 -/350ns
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 25°C 时 Td(开/关)值 -/350ns
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 25°C 时 Td(开/关)值 -/350ns
栅极电荷 180nC
Infineon Technologies 栅极电荷 180nC
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 栅极电荷 180nC
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 栅极电荷 180nC
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号