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产品规格

封装/外壳	TO-247-3 变式
制造商	Infineon Technologies
安装类型	通孔
工作温度	-40°C ~ 175°C（TJ）
系列	TrenchStop?
包装	管件
零件状态	过期
供应商器件封装	PG-TO247HC-3
输入类型	标准
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	1200V
Power - Max	310W
Current - Collector (Ic) (Max)	40A
测试条件	600V，20A，15 欧姆，15V
开关能量	950μJ（关）
Current - Collector Pulsed (Icm)	60A
IGBT 类型	沟道
不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）	1.7V @ 15V，20A
25°C 时 Td（开/关）值	-/387ns
栅极电荷	211nC
关键词

产品资料

PCN 过时产品/ EOL	IHYxxN1xxRx 15/Dec/2011
标准包装	280
其它名称	IHY20N120R3 IHY20N120R3-ND SP000678764

封装/外壳 TO-247-3 变式  Infineon Technologies 封装/外壳 TO-247-3 变式  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-247-3 变式  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-247-3 变式   制造商 Infineon Technologies  Infineon Technologies 制造商 Infineon Technologies  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 Infineon Technologies  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 Infineon Technologies   安装类型 通孔  Infineon Technologies 安装类型 通孔  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 安装类型 通孔  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 安装类型 通孔   工作温度 -40°C ~ 175°C（TJ）  Infineon Technologies 工作温度 -40°C ~ 175°C（TJ）  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 工作温度 -40°C ~ 175°C（TJ）  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 工作温度 -40°C ~ 175°C（TJ）   系列 TrenchStop?  Infineon Technologies 系列 TrenchStop?  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 TrenchStop?  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 TrenchStop?   包装 管件   Infineon Technologies 包装 管件   晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 包装 管件   Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 包装 管件    零件状态 过期  Infineon Technologies 零件状态 过期  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 零件状态 过期  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 零件状态 过期   供应商器件封装 PG-TO247HC-3  Infineon Technologies 供应商器件封装 PG-TO247HC-3  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 PG-TO247HC-3  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 PG-TO247HC-3   输入类型 标准  Infineon Technologies 输入类型 标准  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 标准  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 标准   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V  Infineon Technologies Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V   Power - Max 310W  Infineon Technologies Power - Max 310W  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Power - Max 310W  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Power - Max 310W   Current - Collector (Ic) (Max) 40A  Infineon Technologies Current - Collector (Ic) (Max) 40A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 40A  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 40A   测试条件 600V，20A，15 欧姆，15V  Infineon Technologies 测试条件 600V，20A，15 欧姆，15V  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 测试条件 600V，20A，15 欧姆，15V  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 测试条件 600V，20A，15 欧姆，15V   开关能量 950μJ（关）  Infineon Technologies 开关能量 950μJ（关）  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 开关能量 950μJ（关）  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 开关能量 950μJ（关）   Current - Collector Pulsed (Icm) 60A  Infineon Technologies Current - Collector Pulsed (Icm) 60A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 60A  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 60A   IGBT 类型 沟道  Infineon Technologies IGBT 类型 沟道  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 沟道  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 沟道   不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 1.7V @ 15V，20A  Infineon Technologies 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 1.7V @ 15V，20A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 1.7V @ 15V，20A  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 1.7V @ 15V，20A   25°C 时 Td（开/关）值 -/387ns  Infineon Technologies 25°C 时 Td（开/关）值 -/387ns  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 -/387ns  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 -/387ns   栅极电荷 211nC  Infineon Technologies 栅极电荷 211nC  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 栅极电荷 211nC  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 栅极电荷 211nC