IJW120R100T1FKSA1,Infineon Technologies,分立半导体产品,晶体管 - JFET
st代理商
专业代理销售st（意法）全系列产品
库存查询
在本站结果里搜索：    
热门搜索词：电容器   Vicor   MXP7205VW   STM32F103C8T6   1379658-1   UVX  

IJW120R100T1FKSA1 - 

JFET N-CHAN 26A TO247-3

  • 已过时的产品。
Infineon Technologies IJW120R100T1FKSA1
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
IJW120R100T1FKSA1
仓库库存编号：
IJW120R100T1FKSA1-ND
描述：
JFET N-CHAN 26A TO247-3
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
JFET N-Channel 26A 190W Through Hole PG-TO247-3
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！

IJW120R100T1FKSA1产品属性


产品规格
  封装/外壳  TO-247-3  
  制造商  Infineon Technologies  
  安装类型  通孔  
  工作温度  -55°C ~ 175°C（TJ）  
  系列  -  
  包装  管件   
  零件状态  过期  
  供应商器件封装  PG-TO247-3  
  FET 类型  N 沟道  
  不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）  1550pF @ 19.5V（VGS）  
  漏源电压（Vdss）  1200V  
  Power - Max  190W  
  不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）  1.5μA @ 1200V  
  不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）  -  
  电阻 - RDS（开）  100 毫欧  
  漏极电流（Id） - 最大值  26A  
关键词         

产品资料
数据列表 IJW120R100T1
标准包装 240
其它名称 SP000871656

IJW120R100T1FKSA1您可能还对以下元器件感兴趣

  • 参考图片
  • 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
  • PDF
  • 操作

IJW120R100T1FKSA1相关搜索

封装/外壳 TO-247-3  Infineon Technologies 封装/外壳 TO-247-3  晶体管 - JFET 封装/外壳 TO-247-3  Infineon Technologies 晶体管 - JFET 封装/外壳 TO-247-3   制造商 Infineon Technologies  Infineon Technologies 制造商 Infineon Technologies  晶体管 - JFET 制造商 Infineon Technologies  Infineon Technologies 晶体管 - JFET 制造商 Infineon Technologies   安装类型 通孔  Infineon Technologies 安装类型 通孔  晶体管 - JFET 安装类型 通孔  Infineon Technologies 晶体管 - JFET 安装类型 通孔   工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）  Infineon Technologies 工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）  晶体管 - JFET 工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）  Infineon Technologies 晶体管 - JFET 工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）   系列 -  Infineon Technologies 系列 -  晶体管 - JFET 系列 -  Infineon Technologies 晶体管 - JFET 系列 -   包装 管件   Infineon Technologies 包装 管件   晶体管 - JFET 包装 管件   Infineon Technologies 晶体管 - JFET 包装 管件    零件状态 过期  Infineon Technologies 零件状态 过期  晶体管 - JFET 零件状态 过期  Infineon Technologies 晶体管 - JFET 零件状态 过期   供应商器件封装 PG-TO247-3  Infineon Technologies 供应商器件封装 PG-TO247-3  晶体管 - JFET 供应商器件封装 PG-TO247-3  Infineon Technologies 晶体管 - JFET 供应商器件封装 PG-TO247-3   FET 类型 N 沟道  Infineon Technologies FET 类型 N 沟道  晶体管 - JFET FET 类型 N 沟道  Infineon Technologies 晶体管 - JFET FET 类型 N 沟道   不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1550pF @ 19.5V（VGS）  Infineon Technologies 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1550pF @ 19.5V（VGS）  晶体管 - JFET 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1550pF @ 19.5V（VGS）  Infineon Technologies 晶体管 - JFET 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1550pF @ 19.5V（VGS）   漏源电压（Vdss） 1200V  Infineon Technologies 漏源电压（Vdss） 1200V  晶体管 - JFET 漏源电压（Vdss） 1200V  Infineon Technologies 晶体管 - JFET 漏源电压（Vdss） 1200V   Power - Max 190W  Infineon Technologies Power - Max 190W  晶体管 - JFET Power - Max 190W  Infineon Technologies 晶体管 - JFET Power - Max 190W   不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss） 1.5μA @ 1200V  Infineon Technologies 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss） 1.5μA @ 1200V  晶体管 - JFET 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss） 1.5μA @ 1200V  Infineon Technologies 晶体管 - JFET 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss） 1.5μA @ 1200V   不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关） -  Infineon Technologies 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关） -  晶体管 - JFET 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关） -  Infineon Technologies 晶体管 - JFET 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关） -   电阻 - RDS（开） 100 毫欧  Infineon Technologies 电阻 - RDS（开） 100 毫欧  晶体管 - JFET 电阻 - RDS（开） 100 毫欧  Infineon Technologies 晶体管 - JFET 电阻 - RDS（开） 100 毫欧   漏极电流（Id） - 最大值 26A  Infineon Technologies 漏极电流（Id） - 最大值 26A  晶体管 - JFET 漏极电流（Id） - 最大值 26A  Infineon Technologies 晶体管 - JFET 漏极电流（Id） - 最大值 26A  
电话:400-900-3095
QQ:800152669
st（意法）简介  |  st产品  |   st动态  |  产品应用  |  st选型手册
Copyright © 2017 www.st-ic.com All Rights Reserved. 技术支持：电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号