IKB06N60TATMA1,Infineon Technologies,分立半导体产品,晶体管 - UGBT,MOSFET - 单
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IKB06N60TATMA1
IKB06N60TATMA1 -
IGBT 600V 12A 88W TO263-3
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Infineon Technologies
Infineon Technologies
制造商产品编号:
IKB06N60TATMA1
仓库库存编号:
IKB06N60TATMA1CT-ND
描述:
IGBT 600V 12A 88W TO263-3
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
IGBT Trench Field Stop 600V 12A 88W Surface Mount PG-TO-263
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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IKB06N60TATMA1产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
制造商
Infineon Technologies
安装类型
表面贴装
工作温度
-40°C ~ 175°C(TJ)
系列
TrenchStop?
包装
剪切带(CT)
零件状态
在售
供应商器件封装
PG-TO-263
输入类型
标准
反向恢复时间(trr)
123ns
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600V
Power - Max
88W
Current - Collector (Ic) (Max)
12A
测试条件
400V,6A,23 欧姆,15V
开关能量
200μJ
Current - Collector Pulsed (Icm)
18A
IGBT 类型
沟槽型场截止
不同?Vge,Ic 时的?Vce(on)
2.05V @ 15V,6A
25°C 时 Td(开/关)值
9ns/130ns
栅极电荷
42nC
关键词
产品资料
数据列表
IKB06N60T
标准包装
1
其它名称
IKB06N60TATMA1CT
IKB06N60TCT
IKB06N60TCT-ND
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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操作
Murata Power Solutions Inc.
DC/DC CONVERTER 15V -5V 2W
详细描述:隔离模块 DC/DC 转换器 2 输出 15V -5V 80mA,40mA 4.5V - 5.5V 输入
型号:
MGJ2D051505SC
仓库库存编号:
811-2998-5-ND
别名:811-2998-5
无铅
搜索
Murata Power Solutions Inc.
DC/DC CONVERTER 15V -5V 2W
详细描述:隔离模块 DC/DC 转换器 2 输出 15V -5V 80mA,40mA 10.8V - 13.2V 输入
型号:
MGJ2D121505SC
仓库库存编号:
811-3001-5-ND
别名:811-3001-5
无铅
搜索
Murata Power Solutions Inc.
DC/DC CONVERTER 15V -5V 2W
详细描述:隔离模块 DC/DC 转换器 2 输出 15V -5V 80mA,40mA 13.5V - 16.5V 输入
型号:
MGJ2D151505SC
仓库库存编号:
811-3004-5-ND
别名:811-3004-5
无铅
搜索
Murata Power Solutions Inc.
DC/DC CONVERTER 15V -5V 2W
详细描述:隔离模块 DC/DC 转换器 2 输出 15V -5V 80mA,40mA 21.6V - 26.4V 输入
型号:
MGJ2D241505SC
仓库库存编号:
811-3007-5-ND
别名:811-3007-5
无铅
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制造商 Infineon Technologies
Infineon Technologies 制造商 Infineon Technologies
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 制造商 Infineon Technologies
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 制造商 Infineon Technologies
安装类型 表面贴装
Infineon Technologies 安装类型 表面贴装
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工作温度 -40°C ~ 175°C(TJ)
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系列 TrenchStop?
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包装 剪切带(CT)
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供应商器件封装 PG-TO-263
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开关能量 200μJ
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不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 2.05V @ 15V,6A
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晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 2.05V @ 15V,6A
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 2.05V @ 15V,6A
25°C 时 Td(开/关)值 9ns/130ns
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栅极电荷 42nC
Infineon Technologies 栅极电荷 42nC
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 栅极电荷 42nC
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 栅极电荷 42nC
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