IKD06N60RAATMA2,Infineon Technologies,分立半导体产品,晶体管 - UGBT，MOSFET - 单
st代理商
专业代理销售st（意法）全系列产品
库存查询
在本站结果里搜索：    
热门搜索词：电容器   Vicor   MXP7205VW   STM32F103C8T6   1379658-1   UVX  

IKD06N60RAATMA2 - 

IGBT 600V 12A 100W TO252-3

  • 不推荐用于新设计，因为可能有最低订货量限制。 请参阅“替代封装”或“替代品”选项。
Infineon Technologies IKD06N60RAATMA2
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
IKD06N60RAATMA2
仓库库存编号：
IKD06N60RAATMA2TR-ND
描述：
IGBT 600V 12A 100W TO252-3
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
IGBT Trench 600V 12A 100W Surface Mount PG-TO252-3
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！

IKD06N60RAATMA2产品属性


产品规格
  封装/外壳  TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63  
  制造商  Infineon Technologies  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -40°C ~ 175°C（TJ）  
  系列  TrenchStop?  
  包装  带卷（TR）   
  零件状态  不可用于新设计  
  供应商器件封装  PG-TO252-3  
  输入类型  标准  
  反向恢复时间（trr）  68ns  
  Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)  600V  
  Power - Max  100W  
  Current - Collector (Ic) (Max)  12A  
  测试条件  400V，6A，23 欧姆，15V  
  开关能量  -  
  Current - Collector Pulsed (Icm)  18A  
  IGBT 类型  沟道  
  不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）  2.1V @ 15V，6A  
  25°C 时 Td（开/关）值  12ns/127ns  
  栅极电荷  48nC  
关键词         

产品资料
数据列表 IKD06N60RA
标准包装 2,500
其它名称 IKD06N60RA
IKD06N60RA-ND
SP000979642

IKD06N60RAATMA2您可能还对以下元器件感兴趣

  • 参考图片
  • 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
  • PDF
  • 操作

IKD06N60RAATMA2相关搜索

封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63  Infineon Technologies 封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63   制造商 Infineon Technologies  Infineon Technologies 制造商 Infineon Technologies  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 Infineon Technologies  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 Infineon Technologies   安装类型 表面贴装  Infineon Technologies 安装类型 表面贴装  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装   工作温度 -40°C ~ 175°C（TJ）  Infineon Technologies 工作温度 -40°C ~ 175°C（TJ）  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 工作温度 -40°C ~ 175°C（TJ）  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 工作温度 -40°C ~ 175°C（TJ）   系列 TrenchStop?  Infineon Technologies 系列 TrenchStop?  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 TrenchStop?  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 TrenchStop?   包装 带卷（TR）   Infineon Technologies 包装 带卷（TR）   晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 包装 带卷（TR）   Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 包装 带卷（TR）    零件状态 不可用于新设计  Infineon Technologies 零件状态 不可用于新设计  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 零件状态 不可用于新设计  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 零件状态 不可用于新设计   供应商器件封装 PG-TO252-3  Infineon Technologies 供应商器件封装 PG-TO252-3  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 PG-TO252-3  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 PG-TO252-3   输入类型 标准  Infineon Technologies 输入类型 标准  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 标准  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 标准   反向恢复时间（trr） 68ns  Infineon Technologies 反向恢复时间（trr） 68ns  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 反向恢复时间（trr） 68ns  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 反向恢复时间（trr） 68ns   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V  Infineon Technologies Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V   Power - Max 100W  Infineon Technologies Power - Max 100W  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Power - Max 100W  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Power - Max 100W   Current - Collector (Ic) (Max) 12A  Infineon Technologies Current - Collector (Ic) (Max) 12A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 12A  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 12A   测试条件 400V，6A，23 欧姆，15V  Infineon Technologies 测试条件 400V，6A，23 欧姆，15V  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 测试条件 400V，6A，23 欧姆，15V  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 测试条件 400V，6A，23 欧姆，15V   开关能量 -  Infineon Technologies 开关能量 -  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 开关能量 -  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 开关能量 -   Current - Collector Pulsed (Icm) 18A  Infineon Technologies Current - Collector Pulsed (Icm) 18A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 18A  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 18A   IGBT 类型 沟道  Infineon Technologies IGBT 类型 沟道  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 沟道  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 沟道   不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.1V @ 15V，6A  Infineon Technologies 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.1V @ 15V，6A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.1V @ 15V，6A  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.1V @ 15V，6A   25°C 时 Td（开/关）值 12ns/127ns  Infineon Technologies 25°C 时 Td（开/关）值 12ns/127ns  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 12ns/127ns  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 12ns/127ns   栅极电荷 48nC  Infineon Technologies 栅极电荷 48nC  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 栅极电荷 48nC  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 栅极电荷 48nC  
电话:400-900-3095
QQ:800152669
st（意法）简介  |  st产品  |   st动态  |  产品应用  |  st选型手册
Copyright © 2017 www.st-ic.com All Rights Reserved. 技术支持：电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号