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产品规格

封装/外壳	TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
制造商	Infineon Technologies
安装类型	表面贴装
工作温度	-40°C ~ 175°C（TJ）
系列	TrenchStop?
包装	带卷（TR）
零件状态	在售
供应商器件封装	PG-TO252-3
输入类型	标准
反向恢复时间（trr）	110ns
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	600V
Power - Max	250W
Current - Collector (Ic) (Max)	30A
测试条件	400V，15A，15 欧姆，15V
开关能量	-
Current - Collector Pulsed (Icm)	45A
IGBT 类型	沟道
不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）	2.1V @ 15V，15A
25°C 时 Td（开/关）值	16ns/183ns
栅极电荷	90nC
关键词

产品资料

数据列表	IKD15N60RA
标准包装	2,500
其它名称	IKD15N60RA IKD15N60RA-ND

封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63  Infineon Technologies 封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63   制造商 Infineon Technologies  Infineon Technologies 制造商 Infineon Technologies  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 Infineon Technologies  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 Infineon Technologies   安装类型 表面贴装  Infineon Technologies 安装类型 表面贴装  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装   工作温度 -40°C ~ 175°C（TJ）  Infineon Technologies 工作温度 -40°C ~ 175°C（TJ）  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 工作温度 -40°C ~ 175°C（TJ）  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 工作温度 -40°C ~ 175°C（TJ）   系列 TrenchStop?  Infineon Technologies 系列 TrenchStop?  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 TrenchStop?  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 TrenchStop?   包装 带卷（TR）   Infineon Technologies 包装 带卷（TR）   晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 包装 带卷（TR）   Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 包装 带卷（TR）    零件状态 在售  Infineon Technologies 零件状态 在售  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 零件状态 在售  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 零件状态 在售   供应商器件封装 PG-TO252-3  Infineon Technologies 供应商器件封装 PG-TO252-3  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 PG-TO252-3  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 PG-TO252-3   输入类型 标准  Infineon Technologies 输入类型 标准  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 标准  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 标准   反向恢复时间（trr） 110ns  Infineon Technologies 反向恢复时间（trr） 110ns  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 反向恢复时间（trr） 110ns  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 反向恢复时间（trr） 110ns   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V  Infineon Technologies Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V   Power - Max 250W  Infineon Technologies Power - Max 250W  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Power - Max 250W  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Power - Max 250W   Current - Collector (Ic) (Max) 30A  Infineon Technologies Current - Collector (Ic) (Max) 30A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 30A  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 30A   测试条件 400V，15A，15 欧姆，15V  Infineon Technologies 测试条件 400V，15A，15 欧姆，15V  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 测试条件 400V，15A，15 欧姆，15V  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 测试条件 400V，15A，15 欧姆，15V   开关能量 -  Infineon Technologies 开关能量 -  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 开关能量 -  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 开关能量 -   Current - Collector Pulsed (Icm) 45A  Infineon Technologies Current - Collector Pulsed (Icm) 45A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 45A  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 45A   IGBT 类型 沟道  Infineon Technologies IGBT 类型 沟道  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 沟道  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 沟道   不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.1V @ 15V，15A  Infineon Technologies 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.1V @ 15V，15A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.1V @ 15V，15A  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.1V @ 15V，15A   25°C 时 Td（开/关）值 16ns/183ns  Infineon Technologies 25°C 时 Td（开/关）值 16ns/183ns  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 16ns/183ns  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 16ns/183ns   栅极电荷 90nC  Infineon Technologies 栅极电荷 90nC  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 栅极电荷 90nC  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 栅极电荷 90nC