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产品规格

封装/外壳	TO-247-3
制造商	Infineon Technologies
安装类型	通孔
工作温度	-40°C ~ 175°C（TJ）
系列	-
零件状态	在售
供应商器件封装	PG-TO247-3-46
输入类型	标准
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	1200V
Power - Max	500W
Current - Collector (Ic) (Max)	80A
测试条件	600V，40A，12 欧姆，15V
开关能量	3.1mJ（开），2.9mJ（关）
Current - Collector Pulsed (Icm)	160A
IGBT 类型	沟槽型场截止
不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）	2.15V @ 15V，40A
25°C 时 Td（开/关）值	32ns/328ns
栅极电荷	190nC
关键词

产品资料

数据列表	IKQ40N120CT2
标准包装	240
其它名称	SP001272732

封装/外壳 TO-247-3  Infineon Technologies 封装/外壳 TO-247-3  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-247-3  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-247-3   制造商 Infineon Technologies  Infineon Technologies 制造商 Infineon Technologies  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 Infineon Technologies  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 Infineon Technologies   安装类型 通孔  Infineon Technologies 安装类型 通孔  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 安装类型 通孔  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 安装类型 通孔   工作温度 -40°C ~ 175°C（TJ）  Infineon Technologies 工作温度 -40°C ~ 175°C（TJ）  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 工作温度 -40°C ~ 175°C（TJ）  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 工作温度 -40°C ~ 175°C（TJ）   系列 -  Infineon Technologies 系列 -  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 -  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 -   零件状态 在售  Infineon Technologies 零件状态 在售  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 零件状态 在售  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 零件状态 在售   供应商器件封装 PG-TO247-3-46  Infineon Technologies 供应商器件封装 PG-TO247-3-46  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 PG-TO247-3-46  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 PG-TO247-3-46   输入类型 标准  Infineon Technologies 输入类型 标准  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 标准  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 标准   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V  Infineon Technologies Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V   Power - Max 500W  Infineon Technologies Power - Max 500W  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Power - Max 500W  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Power - Max 500W   Current - Collector (Ic) (Max) 80A  Infineon Technologies Current - Collector (Ic) (Max) 80A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 80A  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 80A   测试条件 600V，40A，12 欧姆，15V  Infineon Technologies 测试条件 600V，40A，12 欧姆，15V  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 测试条件 600V，40A，12 欧姆，15V  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 测试条件 600V，40A，12 欧姆，15V   开关能量 3.1mJ（开），2.9mJ（关）  Infineon Technologies 开关能量 3.1mJ（开），2.9mJ（关）  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 开关能量 3.1mJ（开），2.9mJ（关）  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 开关能量 3.1mJ（开），2.9mJ（关）   Current - Collector Pulsed (Icm) 160A  Infineon Technologies Current - Collector Pulsed (Icm) 160A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 160A  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 160A   IGBT 类型 沟槽型场截止  Infineon Technologies IGBT 类型 沟槽型场截止  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 沟槽型场截止  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 沟槽型场截止   不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.15V @ 15V，40A  Infineon Technologies 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.15V @ 15V，40A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.15V @ 15V，40A  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.15V @ 15V，40A   25°C 时 Td（开/关）值 32ns/328ns  Infineon Technologies 25°C 时 Td（开/关）值 32ns/328ns  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 32ns/328ns  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 32ns/328ns   栅极电荷 190nC  Infineon Technologies 栅极电荷 190nC  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 栅极电荷 190nC  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 栅极电荷 190nC