IKW15N120T2FKSA1,Infineon Technologies,分立半导体产品,晶体管 - UGBT,MOSFET - 单
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IKW15N120T2FKSA1
IKW15N120T2FKSA1 -
IGBT 1200V 30A 235W TO247-3
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Infineon Technologies
Infineon Technologies
制造商产品编号:
IKW15N120T2FKSA1
仓库库存编号:
IKW15N120T2FKSA1-ND
描述:
IGBT 1200V 30A 235W TO247-3
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
IGBT Trench 1200V 30A 235W Through Hole PG-TO247-3
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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IKW15N120T2FKSA1产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-247-3
制造商
Infineon Technologies
安装类型
通孔
工作温度
-40°C ~ 175°C(TJ)
系列
TrenchStop?
包装
管件
零件状态
在售
供应商器件封装
PG-TO247-3
输入类型
标准
反向恢复时间(trr)
300ns
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200V
Power - Max
235W
Current - Collector (Ic) (Max)
30A
测试条件
600V,15A,41.8 欧姆,15V
开关能量
2.05mJ
Current - Collector Pulsed (Icm)
60A
IGBT 类型
沟道
不同?Vge,Ic 时的?Vce(on)
2.2V @ 15V,15A
25°C 时 Td(开/关)值
32ns/362ns
栅极电荷
93nC
关键词
产品资料
数据列表
IKW15N120T2
标准包装
240
其它名称
IKW15N120T2
IKW15N120T2-ND
SP000244961
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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操作
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 20.7A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 20.7A(Tc) 208W(Tc) PG-TO247-3
型号:
SPW20N60C3
仓库库存编号:
SPW20N60C3IN-ND
别名:SP000013729
SPW20N60C3FKSA1
SPW20N60C3IN
SPW20N60C3XK
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 100A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP075N15N3GXKSA1
仓库库存编号:
IPP075N15N3GXKSA1-ND
别名:IPP075N15N3 G
IPP075N15N3 G-ND
IPP075N15N3G
SP000680832
无铅
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OSRAM Opto Semiconductors Inc.
LED DURIS S8 COOL WHT 6500K
详细描述:LED Lighting DURIS? S 8 White, Cool 6500K 24.8V 150mA 120° 2020 (5050 Metric)
型号:
GW P9LR31.EM-PQPS-XX51-1
仓库库存编号:
475-3186-1-ND
别名:475-3186-1
无铅
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OSRAM Opto Semiconductors Inc.
LED DURIS S8 COOL WHT 5000K
详细描述:LED Lighting DURIS? S 8 White, Cool 5000K 24.8V 150mA 120° 2020 (5050 Metric)
型号:
GW P9LR31.EM-PQPS-XX53-1-150-R18
仓库库存编号:
475-3188-1-ND
别名:475-3188-1
无铅
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Microchip Technology
IC MCU 8BIT 896B FLASH SOT23-6
详细描述:PIC 微控制器 IC PIC? 10F 8-位 16MHz 896B(512 x 14) 闪存 SOT-23-6
型号:
PIC10F322T-E/OT
仓库库存编号:
PIC10F322T-E/OTCT-ND
别名:PIC10F322T-E/OTCT
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制造商 Infineon Technologies
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安装类型 通孔
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IGBT 类型 沟道
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不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 2.2V @ 15V,15A
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栅极电荷 93nC
Infineon Technologies 栅极电荷 93nC
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 栅极电荷 93nC
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 栅极电荷 93nC
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