IKW25N120T2,Infineon Technologies,分立半导体产品,晶体管 - UGBT,MOSFET - 单
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IKW25N120T2
IKW25N120T2 -
IGBT 1200V 50A 349W TO247-3
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Infineon Technologies
Infineon Technologies
制造商产品编号:
IKW25N120T2
仓库库存编号:
IKW25N120T2-ND
描述:
IGBT 1200V 50A 349W TO247-3
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
IGBT Trench 1200V 50A 349W Through Hole PG-TO247-3
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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IKW25N120T2产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-247-3
制造商
Infineon Technologies
安装类型
通孔
工作温度
-40°C ~ 175°C(TJ)
系列
TrenchStop?
包装
管件
零件状态
在售
供应商器件封装
PG-TO247-3
输入类型
标准
反向恢复时间(trr)
195ns
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200V
Power - Max
349W
Current - Collector (Ic) (Max)
50A
测试条件
600V,25A,16.4 欧姆,15V
开关能量
2.9mJ
Current - Collector Pulsed (Icm)
100A
IGBT 类型
沟道
不同?Vge,Ic 时的?Vce(on)
2.2V @ 15V,25A
25°C 时 Td(开/关)值
27ns/265ns
栅极电荷
120nC
关键词
产品资料
数据列表
IKW25N120T2
标准包装
240
其它名称
IKW25N120T2FKSA1
SP000244960
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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操作
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 100A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP075N15N3GXKSA1
仓库库存编号:
IPP075N15N3GXKSA1-ND
别名:IPP075N15N3 G
IPP075N15N3 G-ND
IPP075N15N3G
SP000680832
无铅
搜索
Infineon Technologies
IGBT 600V 80A 428W TO247-3
详细描述:IGBT Trench Field Stop 600V 80A 428W Through Hole PG-TO247-3
型号:
IKW75N60TFKSA1
仓库库存编号:
IKW75N60TFKSA1-ND
别名:IKW75N60T
IKW75N60T-ND
SP000054889
无铅
搜索
Infineon Technologies
IGBT 1200V 30A 235W TO247-3
详细描述:IGBT Trench 1200V 30A 235W Through Hole PG-TO247-3
型号:
IKW15N120T2FKSA1
仓库库存编号:
IKW15N120T2FKSA1-ND
别名:IKW15N120T2
IKW15N120T2-ND
SP000244961
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 1200V 80A 483W TO247-3
详细描述:IGBT Trench Field Stop 1200V 80A 483W Through Hole PG-TO247-3
型号:
IKW40N120H3
仓库库存编号:
IKW40N120H3-ND
别名:IKW40N120H3FKSA1
SP000674416
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 75A TO247-3
详细描述:通孔 N 沟道 75A(Tc) 446W(Tc) PG-TO247-3
型号:
IPW65R019C7FKSA1
仓库库存编号:
IPW65R019C7FKSA1-ND
别名:SP000928646
无铅
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制造商 Infineon Technologies
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安装类型 通孔
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Infineon Technologies 开关能量 2.9mJ
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Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 IGBT 类型 沟道
不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 2.2V @ 15V,25A
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晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 2.2V @ 15V,25A
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25°C 时 Td(开/关)值 27ns/265ns
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栅极电荷 120nC
Infineon Technologies 栅极电荷 120nC
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 栅极电荷 120nC
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 栅极电荷 120nC
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