IKW30N60T,Infineon Technologies,分立半导体产品,晶体管 - UGBT,MOSFET - 单
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
>
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单
>
IKW30N60T
IKW30N60T -
IGBT 600V 60A 187W TO247-3
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Infineon Technologies
Infineon Technologies
制造商产品编号:
IKW30N60T
仓库库存编号:
IKW30N60T-ND
描述:
IGBT 600V 60A 187W TO247-3
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
IGBT Trench Field Stop 600V 60A 187W Through Hole PG-TO247-3
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
IKW30N60T产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-247-3
制造商
Infineon Technologies
安装类型
通孔
工作温度
-40°C ~ 175°C(TJ)
系列
TrenchStop?
包装
管件
零件状态
在售
供应商器件封装
PG-TO247-3
输入类型
标准
反向恢复时间(trr)
143ns
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600V
Power - Max
187W
Current - Collector (Ic) (Max)
60A
测试条件
400V,30A,10.6 欧姆,15V
开关能量
1.46mJ
Current - Collector Pulsed (Icm)
90A
IGBT 类型
沟槽型场截止
不同?Vge,Ic 时的?Vce(on)
2.05V @ 15V,30A
25°C 时 Td(开/关)值
23ns/254ns
栅极电荷
167nC
关键词
产品资料
数据列表
IKW30N60T
标准包装
240
其它名称
IKW30N60TFKSA1
SP000054887
IKW30N60T您可能还对以下元器件感兴趣
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Infineon Technologies
IGBT 600V 40A 166W TO247-3
详细描述:IGBT Trench Field Stop 600V 40A 166W Through Hole PG-TO247-3
型号:
IKW20N60TFKSA1
仓库库存编号:
IKW20N60TFKSA1-ND
别名:IKW20N60T
IKW20N60T-ND
SP000054886
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
IGBT 600V 80A 349W TO247
详细描述:IGBT Field Stop 600V 80A 349W Through Hole TO-247-3
型号:
FGH40N60SMDF
仓库库存编号:
FGH40N60SMDF-ND
无铅
搜索
IKW30N60T相关搜索
封装/外壳 TO-247-3
Infineon Technologies 封装/外壳 TO-247-3
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 封装/外壳 TO-247-3
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 封装/外壳 TO-247-3
制造商 Infineon Technologies
Infineon Technologies 制造商 Infineon Technologies
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 制造商 Infineon Technologies
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 制造商 Infineon Technologies
安装类型 通孔
Infineon Technologies 安装类型 通孔
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 安装类型 通孔
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 安装类型 通孔
工作温度 -40°C ~ 175°C(TJ)
Infineon Technologies 工作温度 -40°C ~ 175°C(TJ)
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 工作温度 -40°C ~ 175°C(TJ)
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 工作温度 -40°C ~ 175°C(TJ)
系列 TrenchStop?
Infineon Technologies 系列 TrenchStop?
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 系列 TrenchStop?
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 系列 TrenchStop?
包装 管件
Infineon Technologies 包装 管件
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 包装 管件
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 包装 管件
零件状态 在售
Infineon Technologies 零件状态 在售
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 零件状态 在售
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 零件状态 在售
供应商器件封装 PG-TO247-3
Infineon Technologies 供应商器件封装 PG-TO247-3
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 供应商器件封装 PG-TO247-3
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 供应商器件封装 PG-TO247-3
输入类型 标准
Infineon Technologies 输入类型 标准
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 输入类型 标准
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 输入类型 标准
反向恢复时间(trr) 143ns
Infineon Technologies 反向恢复时间(trr) 143ns
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 反向恢复时间(trr) 143ns
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 反向恢复时间(trr) 143ns
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
Infineon Technologies Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
Power - Max 187W
Infineon Technologies Power - Max 187W
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Power - Max 187W
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Power - Max 187W
Current - Collector (Ic) (Max) 60A
Infineon Technologies Current - Collector (Ic) (Max) 60A
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 60A
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 60A
测试条件 400V,30A,10.6 欧姆,15V
Infineon Technologies 测试条件 400V,30A,10.6 欧姆,15V
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 测试条件 400V,30A,10.6 欧姆,15V
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 测试条件 400V,30A,10.6 欧姆,15V
开关能量 1.46mJ
Infineon Technologies 开关能量 1.46mJ
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 开关能量 1.46mJ
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 开关能量 1.46mJ
Current - Collector Pulsed (Icm) 90A
Infineon Technologies Current - Collector Pulsed (Icm) 90A
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 90A
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 90A
IGBT 类型 沟槽型场截止
Infineon Technologies IGBT 类型 沟槽型场截止
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 IGBT 类型 沟槽型场截止
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 IGBT 类型 沟槽型场截止
不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 2.05V @ 15V,30A
Infineon Technologies 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 2.05V @ 15V,30A
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 2.05V @ 15V,30A
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 2.05V @ 15V,30A
25°C 时 Td(开/关)值 23ns/254ns
Infineon Technologies 25°C 时 Td(开/关)值 23ns/254ns
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 25°C 时 Td(开/关)值 23ns/254ns
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 25°C 时 Td(开/关)值 23ns/254ns
栅极电荷 167nC
Infineon Technologies 栅极电荷 167nC
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 栅极电荷 167nC
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 栅极电荷 167nC
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号