IKW30N65EL5XKSA1,Infineon Technologies,分立半导体产品,晶体管 - UGBT,MOSFET - 单
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
>
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单
>
IKW30N65EL5XKSA1
IKW30N65EL5XKSA1 -
IGBT 650V 30A FAST DIODE TO247-3
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Infineon Technologies
Infineon Technologies
制造商产品编号:
IKW30N65EL5XKSA1
仓库库存编号:
IKW30N65EL5XKSA1IN-ND
描述:
IGBT 650V 30A FAST DIODE TO247-3
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
IGBT 650V 85A 227W Through Hole PG-TO247-3
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
IKW30N65EL5XKSA1产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-247-3
制造商
Infineon Technologies
安装类型
通孔
工作温度
-40°C ~ 175°C(TJ)
系列
TrenchStop? 5
包装
管件
零件状态
在售
供应商器件封装
PG-TO247-3
输入类型
标准
反向恢复时间(trr)
100ns
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650V
Power - Max
227W
Current - Collector (Ic) (Max)
85A
测试条件
400V,30A,10 欧姆,15V
开关能量
470μJ(开),1.35mJ(关)
Current - Collector Pulsed (Icm)
120A
IGBT 类型
-
不同?Vge,Ic 时的?Vce(on)
1.35V @ 15V,30A
25°C 时 Td(开/关)值
33ns/308ns
栅极电荷
168nC
关键词
产品资料
数据列表
IKW30N65EL5
标准包装
240
其它名称
IKW30N65EL5XKSA1IN
SP001178080
IKW30N65EL5XKSA1您可能还对以下元器件感兴趣
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Molex, LLC
CONN HEADER 4POS 2MM R/A 15GOLD
详细描述:4 位 接头 连接器 0.079"(2.00mm) 通孔,直角 金
型号:
0877600416
仓库库存编号:
WM18612-ND
别名:87760-0416
87760-0416-C
87760-0416-CL100
877600416
WM17475
WM17475-ND
WM18612
无铅
搜索
LEM USA Inc.
SENSOR CURRENT FLUX 50A AC/DC
详细描述:Current Sensor 50A Channel Flux Gate, Closed Loop Bidirectional Module
型号:
CASR 50-NP
仓库库存编号:
398-1094-ND
别名:398-1094
398-1094-5
398-1094-5-ND
CASR50NP
无铅
搜索
Wurth Electronics Inc.
COMMON MODE CHOKE 1MH 20A 2LN TH
详细描述:1mH @ 10kHz 2 Line Common Mode Choke Through Hole 20A DCR 2.4 mOhm
型号:
7448042001
仓库库存编号:
732-5593-ND
别名:732-5593
无铅
搜索
Infineon Technologies
IGBT 650V 30A TRENCHSTOP TO247-3
详细描述:IGBT 650V 85A 227W Through Hole PG-TO247-3
型号:
IGW30N65L5XKSA1
仓库库存编号:
IGW30N65L5XKSA1IN-ND
别名:IGW30N65L5XKSA1IN
SP001174472
无铅
搜索
Infineon Technologies
IGBT 650V 75A FAST DIODE TO247-3
详细描述:IGBT 650V 80A 536W Through Hole PG-TO247-3
型号:
IKW75N65EL5XKSA1
仓库库存编号:
IKW75N65EL5XKSA1IN-ND
别名:IKW75N65EL5XKSA1IN
SP001174464
无铅
搜索
IKW30N65EL5XKSA1相关搜索
封装/外壳 TO-247-3
Infineon Technologies 封装/外壳 TO-247-3
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 封装/外壳 TO-247-3
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 封装/外壳 TO-247-3
制造商 Infineon Technologies
Infineon Technologies 制造商 Infineon Technologies
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 制造商 Infineon Technologies
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 制造商 Infineon Technologies
安装类型 通孔
Infineon Technologies 安装类型 通孔
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 安装类型 通孔
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 安装类型 通孔
工作温度 -40°C ~ 175°C(TJ)
Infineon Technologies 工作温度 -40°C ~ 175°C(TJ)
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 工作温度 -40°C ~ 175°C(TJ)
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 工作温度 -40°C ~ 175°C(TJ)
系列 TrenchStop? 5
Infineon Technologies 系列 TrenchStop? 5
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 系列 TrenchStop? 5
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 系列 TrenchStop? 5
包装 管件
Infineon Technologies 包装 管件
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 包装 管件
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 包装 管件
零件状态 在售
Infineon Technologies 零件状态 在售
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 零件状态 在售
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 零件状态 在售
供应商器件封装 PG-TO247-3
Infineon Technologies 供应商器件封装 PG-TO247-3
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 供应商器件封装 PG-TO247-3
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 供应商器件封装 PG-TO247-3
输入类型 标准
Infineon Technologies 输入类型 标准
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 输入类型 标准
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 输入类型 标准
反向恢复时间(trr) 100ns
Infineon Technologies 反向恢复时间(trr) 100ns
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 反向恢复时间(trr) 100ns
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 反向恢复时间(trr) 100ns
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V
Infineon Technologies Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V
Power - Max 227W
Infineon Technologies Power - Max 227W
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Power - Max 227W
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Power - Max 227W
Current - Collector (Ic) (Max) 85A
Infineon Technologies Current - Collector (Ic) (Max) 85A
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 85A
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 85A
测试条件 400V,30A,10 欧姆,15V
Infineon Technologies 测试条件 400V,30A,10 欧姆,15V
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 测试条件 400V,30A,10 欧姆,15V
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 测试条件 400V,30A,10 欧姆,15V
开关能量 470μJ(开),1.35mJ(关)
Infineon Technologies 开关能量 470μJ(开),1.35mJ(关)
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 开关能量 470μJ(开),1.35mJ(关)
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 开关能量 470μJ(开),1.35mJ(关)
Current - Collector Pulsed (Icm) 120A
Infineon Technologies Current - Collector Pulsed (Icm) 120A
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 120A
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 120A
IGBT 类型 -
Infineon Technologies IGBT 类型 -
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 IGBT 类型 -
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 IGBT 类型 -
不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 1.35V @ 15V,30A
Infineon Technologies 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 1.35V @ 15V,30A
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 1.35V @ 15V,30A
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 1.35V @ 15V,30A
25°C 时 Td(开/关)值 33ns/308ns
Infineon Technologies 25°C 时 Td(开/关)值 33ns/308ns
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 25°C 时 Td(开/关)值 33ns/308ns
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 25°C 时 Td(开/关)值 33ns/308ns
栅极电荷 168nC
Infineon Technologies 栅极电荷 168nC
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 栅极电荷 168nC
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 栅极电荷 168nC
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号