IKW40N120H3,Infineon Technologies,分立半导体产品,晶体管 - UGBT,MOSFET - 单
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
>
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单
>
IKW40N120H3
IKW40N120H3 -
IGBT 1200V 80A 483W TO247-3
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Infineon Technologies
Infineon Technologies
制造商产品编号:
IKW40N120H3
仓库库存编号:
IKW40N120H3-ND
描述:
IGBT 1200V 80A 483W TO247-3
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
IGBT Trench Field Stop 1200V 80A 483W Through Hole PG-TO247-3
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
IKW40N120H3产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-247-3
制造商
Infineon Technologies
安装类型
通孔
工作温度
-40°C ~ 175°C(TJ)
系列
TrenchStop?
包装
管件
零件状态
在售
供应商器件封装
PG-TO247-3
输入类型
标准
反向恢复时间(trr)
355ns
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200V
Power - Max
483W
Current - Collector (Ic) (Max)
80A
测试条件
600V,40A,12 欧姆,15V
开关能量
4.4mJ
Current - Collector Pulsed (Icm)
160A
IGBT 类型
沟槽型场截止
不同?Vge,Ic 时的?Vce(on)
2.4V @ 15V,40A
25°C 时 Td(开/关)值
30ns/290ns
栅极电荷
185nC
关键词
产品资料
数据列表
IKW40N120H3
标准包装
240
其它名称
IKW40N120H3FKSA1
SP000674416
IKW40N120H3相关产品
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Murata Power Solutions Inc.
DC/DC CONVERTER 15V -5V 2W
详细描述:隔离模块 DC/DC 转换器 2 输出 15V -5V 80mA,40mA 4.5V - 5.5V 输入
型号:
MGJ2D051505SC
仓库库存编号:
811-2998-5-ND
别名:811-2998-5
无铅
搜索
Murata Power Solutions Inc.
DC/DC CONVERTER 15V -5V 2W
详细描述:隔离模块 DC/DC 转换器 2 输出 15V -5V 80mA,40mA 10.8V - 13.2V 输入
型号:
MGJ2D121505SC
仓库库存编号:
811-3001-5-ND
别名:811-3001-5
无铅
搜索
Murata Power Solutions Inc.
DC/DC CONVERTER 15V -5V 2W
详细描述:隔离模块 DC/DC 转换器 2 输出 15V -5V 80mA,40mA 13.5V - 16.5V 输入
型号:
MGJ2D151505SC
仓库库存编号:
811-3004-5-ND
别名:811-3004-5
无铅
搜索
Murata Power Solutions Inc.
DC/DC CONVERTER 15V -5V 2W
详细描述:隔离模块 DC/DC 转换器 2 输出 15V -5V 80mA,40mA 21.6V - 26.4V 输入
型号:
MGJ2D241505SC
仓库库存编号:
811-3007-5-ND
别名:811-3007-5
无铅
搜索
IKW40N120H3您可能还对以下元器件感兴趣
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
LEM USA Inc.
TRANSDUCR VOLTAG CLOSE LOOP 10MA
详细描述:Voltage, Closed Loop Sensor Voltage Output
型号:
LV 20-P
仓库库存编号:
398-1020-ND
别名:398-1020
LV20P
无铅
搜索
Infineon Technologies
IGBT 1200V 50A 349W TO247-3
详细描述:IGBT Trench 1200V 50A 349W Through Hole PG-TO247-3
型号:
IKW25N120T2
仓库库存编号:
IKW25N120T2-ND
别名:IKW25N120T2FKSA1
SP000244960
无铅
搜索
Infineon Technologies
IGBT 600V 100A 333W TO247-3
详细描述:IGBT Trench Field Stop 600V 100A 333W Through Hole PG-TO247-3
型号:
IKW50N60H3FKSA1
仓库库存编号:
IKW50N60H3FKSA1-ND
别名:IKW50N60H3
IKW50N60H3-ND
SP000852244
无铅
搜索
Murata Power Solutions Inc.
DC/DC CONVERTER 15V 2W
详细描述:隔离模块 DC/DC 转换器 1 输出 15V 133mA 13.5V - 16.5V 输入
型号:
NMK1515SAC
仓库库存编号:
811-2350-5-ND
别名:811-2350-5
无铅
搜索
IKW40N120H3相关搜索
封装/外壳 TO-247-3
Infineon Technologies 封装/外壳 TO-247-3
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 封装/外壳 TO-247-3
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 封装/外壳 TO-247-3
制造商 Infineon Technologies
Infineon Technologies 制造商 Infineon Technologies
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 制造商 Infineon Technologies
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 制造商 Infineon Technologies
安装类型 通孔
Infineon Technologies 安装类型 通孔
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 安装类型 通孔
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 安装类型 通孔
工作温度 -40°C ~ 175°C(TJ)
Infineon Technologies 工作温度 -40°C ~ 175°C(TJ)
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 工作温度 -40°C ~ 175°C(TJ)
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 工作温度 -40°C ~ 175°C(TJ)
系列 TrenchStop?
Infineon Technologies 系列 TrenchStop?
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 系列 TrenchStop?
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 系列 TrenchStop?
包装 管件
Infineon Technologies 包装 管件
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 包装 管件
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 包装 管件
零件状态 在售
Infineon Technologies 零件状态 在售
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 零件状态 在售
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 零件状态 在售
供应商器件封装 PG-TO247-3
Infineon Technologies 供应商器件封装 PG-TO247-3
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 供应商器件封装 PG-TO247-3
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 供应商器件封装 PG-TO247-3
输入类型 标准
Infineon Technologies 输入类型 标准
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 输入类型 标准
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 输入类型 标准
反向恢复时间(trr) 355ns
Infineon Technologies 反向恢复时间(trr) 355ns
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 反向恢复时间(trr) 355ns
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 反向恢复时间(trr) 355ns
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Infineon Technologies Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Power - Max 483W
Infineon Technologies Power - Max 483W
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Power - Max 483W
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Power - Max 483W
Current - Collector (Ic) (Max) 80A
Infineon Technologies Current - Collector (Ic) (Max) 80A
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 80A
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 80A
测试条件 600V,40A,12 欧姆,15V
Infineon Technologies 测试条件 600V,40A,12 欧姆,15V
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 测试条件 600V,40A,12 欧姆,15V
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 测试条件 600V,40A,12 欧姆,15V
开关能量 4.4mJ
Infineon Technologies 开关能量 4.4mJ
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 开关能量 4.4mJ
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 开关能量 4.4mJ
Current - Collector Pulsed (Icm) 160A
Infineon Technologies Current - Collector Pulsed (Icm) 160A
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 160A
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 160A
IGBT 类型 沟槽型场截止
Infineon Technologies IGBT 类型 沟槽型场截止
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 IGBT 类型 沟槽型场截止
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 IGBT 类型 沟槽型场截止
不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 2.4V @ 15V,40A
Infineon Technologies 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 2.4V @ 15V,40A
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 2.4V @ 15V,40A
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 2.4V @ 15V,40A
25°C 时 Td(开/关)值 30ns/290ns
Infineon Technologies 25°C 时 Td(开/关)值 30ns/290ns
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 25°C 时 Td(开/关)值 30ns/290ns
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 25°C 时 Td(开/关)值 30ns/290ns
栅极电荷 185nC
Infineon Technologies 栅极电荷 185nC
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 栅极电荷 185nC
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 栅极电荷 185nC
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号