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IKW40N65F5FKSA1
IKW40N65F5FKSA1 -
IGBT 650V 74A 255W PG-TO247-3
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Infineon Technologies
Infineon Technologies
制造商产品编号:
IKW40N65F5FKSA1
仓库库存编号:
IKW40N65F5FKSA1-ND
描述:
IGBT 650V 74A 255W PG-TO247-3
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
IGBT 650V 74A 255W Through Hole PG-TO247-3
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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IKW40N65F5FKSA1产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-247-3
制造商
Infineon Technologies
安装类型
通孔
工作温度
-40°C ~ 175°C(TJ)
系列
TrenchStop?
包装
管件
零件状态
在售
供应商器件封装
PG-TO247-3
输入类型
标准
反向恢复时间(trr)
60ns
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650V
Power - Max
255W
Current - Collector (Ic) (Max)
74A
测试条件
400V,20A,15 欧姆,15V
开关能量
360μJ(开),100μJ(关)
Current - Collector Pulsed (Icm)
120A
IGBT 类型
-
不同?Vge,Ic 时的?Vce(on)
2.1V @ 15V,40A
25°C 时 Td(开/关)值
19ns/160ns
栅极电荷
95nC
关键词
产品资料
数据列表
IKP/IKW40N65F5
标准包装
240
其它名称
SP000973418
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参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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操作
Infineon Technologies
IGBT 650V 30A FAST DIODE TO247-3
详细描述:IGBT Trench Through Hole PG-TO247-3
型号:
IKW30N65ES5XKSA1
仓库库存编号:
IKW30N65ES5XKSA1-ND
别名:SP001319678
无铅
搜索
Infineon Technologies
IGBT 650V 30A FAST DIODE TO247-3
详细描述:IGBT Trench 650V 55A 188W Through Hole PG-TO247-3
型号:
IKW30N65H5XKSA1
仓库库存编号:
IKW30N65H5XKSA1-ND
别名:SP001204194
无铅
搜索
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封装/外壳 TO-247-3
Infineon Technologies 封装/外壳 TO-247-3
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 封装/外壳 TO-247-3
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制造商 Infineon Technologies
Infineon Technologies 制造商 Infineon Technologies
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 制造商 Infineon Technologies
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 制造商 Infineon Technologies
安装类型 通孔
Infineon Technologies 安装类型 通孔
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 安装类型 通孔
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 安装类型 通孔
工作温度 -40°C ~ 175°C(TJ)
Infineon Technologies 工作温度 -40°C ~ 175°C(TJ)
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系列 TrenchStop?
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供应商器件封装 PG-TO247-3
Infineon Technologies 供应商器件封装 PG-TO247-3
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 供应商器件封装 PG-TO247-3
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输入类型 标准
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反向恢复时间(trr) 60ns
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Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V
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不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 2.1V @ 15V,40A
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25°C 时 Td(开/关)值 19ns/160ns
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栅极电荷 95nC
Infineon Technologies 栅极电荷 95nC
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 栅极电荷 95nC
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 栅极电荷 95nC
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