IKW75N65ES5XKSA1,Infineon Technologies,分立半导体产品,晶体管 - UGBT,MOSFET - 单
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IKW75N65ES5XKSA1
IKW75N65ES5XKSA1 -
IGBT 650V 75A FAST DIODE TO247-3
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Infineon Technologies
Infineon Technologies
制造商产品编号:
IKW75N65ES5XKSA1
仓库库存编号:
IKW75N65ES5XKSA1-ND
描述:
IGBT 650V 75A FAST DIODE TO247-3
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
IGBT Trench 650V 80A 395W Through Hole PG-TO247-3
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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IKW75N65ES5XKSA1产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-247-3
制造商
Infineon Technologies
安装类型
通孔
工作温度
-40°C ~ 175°C(TJ)
系列
TrenchStop?
包装
管件
零件状态
在售
供应商器件封装
PG-TO247-3
输入类型
标准
反向恢复时间(trr)
85ns
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650V
Power - Max
395W
Current - Collector (Ic) (Max)
80A
测试条件
400V,75A,18 欧姆,15V
开关能量
2.4mJ(开),950μJ(关)
Current - Collector Pulsed (Icm)
300A
IGBT 类型
沟道
不同?Vge,Ic 时的?Vce(on)
1.75V @ 15V,75A
25°C 时 Td(开/关)值
40ns/144ns
栅极电荷
164nC
关键词
产品资料
数据列表
IKW75N65ES5
标准包装
240
其它名称
SP001319684
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