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IPA65R110CFDXKSA1 - 

MOSFET N-CH 650V 31.2A TO220

  • 非库存货
Infineon Technologies IPA65R110CFDXKSA1
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
IPA65R110CFDXKSA1
仓库库存编号：
IPA65R110CFDXKSA1-ND
描述：
MOSFET N-CH 650V 31.2A TO220
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
通孔 N 沟道 650V 31.2A（Tc） 34.7W（Tc） PG-TO220 整包
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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IPA65R110CFDXKSA1产品属性


产品规格
  封装/外壳  TO-220-3 整包  
  制造商  Infineon Technologies  
  安装类型  通孔  
  工作温度  -55°C ~ 150°C（TJ）  
  系列  CoolMOS??  
  包装  管件   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  PG-TO220 整包  
  技术  MOSFET（金属氧化物）  
  Vgs（最大值）  ±20V  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）  118nC @ 10V  
  不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）  110 毫欧 @ 12.7A，10V  
  驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）  10V  
  FET 类型  N 沟道  
  电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）  31.2A（Tc）  
  不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）  3240pF @ 100V  
  FET 功能  -  
  不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）  4.5V @ 1.3mA  
  功率耗散（最大值）  34.7W（Tc）  
  漏源电压（Vdss）  650V  
关键词         

产品资料
数据列表 IPx65R110CFD
标准包装 500
其它名称 IPA65R110CFD
IPA65R110CFD-ND
SP000895230

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MOSFET N-CH 650V 31.2A TO220

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MOSFET N-Ch 700V 31.2A TO220FP CoolMOS CFD2

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Trans MOSFET N-CH 700V 31.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Full-Pak - Rail/Tube (Alt: IPA65R110CFDXKSA1)

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Trans MOSFET N-CH 700V 31.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

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MOSFET, N-CH, 700V, 31.2A, TO-220FP-3

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MOSFET N-CH 650V 31.2A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 650V 31.2A（Tc） 34.7W（Tc） PG-TO220 整包

型号：IPA65R110CFDXKSA1
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