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IPA65R1K0CEXKSA1
IPA65R1K0CEXKSA1 -
MOSFET N-CH 650V TO220-3
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Infineon Technologies
Infineon Technologies
制造商产品编号:
IPA65R1K0CEXKSA1
仓库库存编号:
IPA65R1K0CEXKSA1-ND
描述:
MOSFET N-CH 650V TO220-3
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
通孔 N 沟道 7.2A(Tc) 68W(Tc) PG-TO220 整包
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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IPA65R1K0CEXKSA1产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-220-3 整包
制造商
Infineon Technologies
安装类型
通孔
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
系列
CoolMOS??
包装
管件
零件状态
在售
供应商器件封装
PG-TO220 整包
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
15.3nC @ 10V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
1 欧姆 @ 1.5A,10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
FET 类型
N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
7.2A(Tc)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
328pF @ 100V
FET 功能
超级结
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
3.5V @ 200μA
功率耗散(最大值)
68W(Tc)
漏源电压(Vdss)
650V
关键词
产品资料
数据列表
IPA65R1K0CE
标准包装
500
其它名称
SP001429758
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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型号:
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仓库库存编号:
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别名:IPA60R600P6XKSA1
SP001017070
无铅
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Infineon Technologies
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型号:
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仓库库存编号:
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别名:SP001276046
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型号:
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OSRAM Opto Semiconductors Inc.
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详细描述:LED Lighting DURIS? S 8 White, Cool 5000K 24.8V 150mA 120° 2020 (5050 Metric)
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漏源电压(Vdss) 650V
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 650V
Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 650V
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