数据列表 | |
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标准包装 | 1 |
其它名称 | IPB011N04L GCT |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IPB011N04LGATMA1 [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7 RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
IPB011N04LGATMA1 [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7 RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
IPB011N04LGATMA1 [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7 RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IPB011N04L G [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3 RoHS: Compliant | 搜索 |
IPB011N04LGATMA1 [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3 RoHS: Compliant | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IPB011N04L G [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R RoHS: Compliant | 搜索 |
IPB011N04LGATMA1 [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFETs RoHS: Compliant | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IPB011N04L G [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin TO-263 T/R (Alt: IPB011N04LG) RoHS: Compliant | 搜索 |
IPB011N04L G [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin TO-263 T/R (Alt: IPB011N04L G) RoHS: Compliant | 搜索 |
IPB011N04LGXT [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) TO-263 - Tape and Reel (Alt: IPB011N04LGATMA1) RoHS: Compliant | 搜索 |
IPB011N04LGATMA1 [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin TO-263 T/R (Alt: IPB011N04LGATMA1) RoHS: Compliant | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IPB011N04L G [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) TO-263
| 搜索 |
IPB011N04LGATMA1 [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
| 搜索 |
IPB011N04LGATMA1 [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
| 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IPB011N04LGATMA1 [更多] | Infineon Technologies AG | Single N-Channel 40 V 1.1 mOhm 260 nC OptiMOS? Power Mosfet - D2PAK-7 RoHS: Not Compliant | pbFree: Yes | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IPB011N04LGATMA1 [更多] | Infineon Technologies AG |
| 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IPB011N04LGATMA1 [更多] | Infineon Technologies AG | Transistor: N-MOSFET, unipolar, 40V, 180A, 250W, PG-TO263-7
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参考图片 | 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名 | 操作 | |
![]() | Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7 详细描述:表面贴装 N 沟道 180A(Tc) 250W(Tc) PG-TO263-7-3 型号:IPB011N04L G 仓库库存编号:IPB011N04L GCT-ND 别名:IPB011N04L GCT | 无铅 | 搜索 |
参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
![]() | IPB011N04L G INFINEON | 场效应管 MOSFET N沟道 180A 40V PG-TO263-7![]() ![]() | 查价格库存 查看详细 |
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参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
![]() | IPB011N04L G INFINEON | 场效应管 MOSFET N沟道 180A 40V PG-TO263-7![]() ![]() | 查价格库存 查看详细 |
![]() | IPB011N04LGXT Infineon Technologies | 原厂原装货 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
![]() | IPB011N04L G Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7![]() ![]() | 查价格库存 查看详细 |