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IPB081N06L3 G
IPB081N06L3 G -
MOSFET N-CH 60V 50A TO263-3
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Infineon Technologies
Infineon Technologies
制造商产品编号:
IPB081N06L3 G
仓库库存编号:
IPB081N06L3 GCT-ND
描述:
MOSFET N-CH 60V 50A TO263-3
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 79W(Tc) PG-TO263-2
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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IPB081N06L3 G产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
制造商
Infineon Technologies
安装类型
表面贴装
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
系列
OptiMOS??
包装
剪切带(CT)
零件状态
在售
供应商器件封装
PG-TO263-2
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
29nC @ 4.5V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
8.1 毫欧 @ 50A,10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
FET 类型
N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
50A(Tc)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
4900pF @ 30V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
2.2V @ 34μA
功率耗散(最大值)
79W(Tc)
漏源电压(Vdss)
60V
关键词
产品资料
数据列表
IPx081,84N06L3 G
标准包装
1
其它名称
IPB081N06L3 GCT
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型号:
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别名:296-26925-1
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MOSFET N-CH 60V 50A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 71W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB090N06N3 G
仓库库存编号:
IPB090N06N3 GCT-ND
别名:IPB090N06N3 GCT
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