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产品规格

封装/外壳	模具
制造商	Infineon Technologies
安装类型	表面贴装
工作温度	-
系列	OptiMOS??
零件状态	在售
供应商器件封装	带箔切割晶片
技术	MOSFET（金属氧化物）
Vgs（最大值）	-
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）	-
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）	100 毫欧 @ 2A，10V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
FET 类型	N 沟道
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	1A（Tj）
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	-
FET 功能	-
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	3.5V @ 270μA
功率耗散（最大值）	-
漏源电压（Vdss）	80V
关键词

产品资料

数据列表	IPC302N08N3
标准包装	4,425
其它名称	SP000476912

封装/外壳 模具  Infineon Technologies 封装/外壳 模具  晶体管 - FET，MOSFET - 单 封装/外壳 模具  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 封装/外壳 模具   制造商 Infineon Technologies  Infineon Technologies 制造商 Infineon Technologies  晶体管 - FET，MOSFET - 单 制造商 Infineon Technologies  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 制造商 Infineon Technologies   安装类型 表面贴装  Infineon Technologies 安装类型 表面贴装  晶体管 - FET，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装   工作温度 -  Infineon Technologies 工作温度 -  晶体管 - FET，MOSFET - 单 工作温度 -  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 工作温度 -   系列 OptiMOS??  Infineon Technologies 系列 OptiMOS??  晶体管 - FET，MOSFET - 单 系列 OptiMOS??  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 系列 OptiMOS??   零件状态 在售  Infineon Technologies 零件状态 在售  晶体管 - FET，MOSFET - 单 零件状态 在售  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 零件状态 在售   供应商器件封装 带箔切割晶片  Infineon Technologies 供应商器件封装 带箔切割晶片  晶体管 - FET，MOSFET - 单 供应商器件封装 带箔切割晶片  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 供应商器件封装 带箔切割晶片   技术 MOSFET（金属氧化物）  Infineon Technologies 技术 MOSFET（金属氧化物）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 技术 MOSFET（金属氧化物）  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 技术 MOSFET（金属氧化物）   Vgs（最大值） -  Infineon Technologies Vgs（最大值） -  晶体管 - FET，MOSFET - 单 Vgs（最大值） -  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 Vgs（最大值） -   不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -  Infineon Technologies 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -   不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 100 毫欧 @ 2A，10V  Infineon Technologies 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 100 毫欧 @ 2A，10V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 100 毫欧 @ 2A，10V  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 100 毫欧 @ 2A，10V   驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V  Infineon Technologies 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V   FET 类型 N 沟道  Infineon Technologies FET 类型 N 沟道  晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道   电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1A（Tj）  Infineon Technologies 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1A（Tj）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1A（Tj）  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1A（Tj）   不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） -  Infineon Technologies 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） -  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） -  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） -   FET 功能 -  Infineon Technologies FET 功能 -  晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 功能 -  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 功能 -   不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 270μA  Infineon Technologies 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 270μA  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 270μA  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 270μA   功率耗散（最大值） -  Infineon Technologies 功率耗散（最大值） -  晶体管 - FET，MOSFET - 单 功率耗散（最大值） -  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 功率耗散（最大值） -   漏源电压（Vdss） 80V  Infineon Technologies 漏源电压（Vdss） 80V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 漏源电压（Vdss） 80V  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 漏源电压（Vdss） 80V