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产品规格

封装/外壳	8-PowerVDFN
制造商	Infineon Technologies
安装类型	表面贴装
工作温度	-55°C ~ 175°C（TJ）
系列	汽车级，AEC-Q101，OptiMOS?
包装	带卷（TR）
零件状态	不可用于新设计
供应商器件封装	PG-TDSON-8-23
技术	MOSFET（金属氧化物）
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）	33nC @ 10V
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）	6 毫欧 @ 30A，10V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
FET 类型	N 沟道
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	60A（Tc）
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	2650pF @ 25V
FET 功能	-
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	4V @ 30μA
功率耗散（最大值）	63W（Tc）
漏源电压（Vdss）	40V
关键词

产品资料

数据列表	IPC60N04S4-06
标准包装	5,000
其它名称	SP001121640

封装/外壳 8-PowerVDFN  Infineon Technologies 封装/外壳 8-PowerVDFN  晶体管 - FET，MOSFET - 单 封装/外壳 8-PowerVDFN  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 封装/外壳 8-PowerVDFN   制造商 Infineon Technologies  Infineon Technologies 制造商 Infineon Technologies  晶体管 - FET，MOSFET - 单 制造商 Infineon Technologies  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 制造商 Infineon Technologies   安装类型 表面贴装  Infineon Technologies 安装类型 表面贴装  晶体管 - FET，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装   工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）  Infineon Technologies 工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）   系列 汽车级，AEC-Q101，OptiMOS?  Infineon Technologies 系列 汽车级，AEC-Q101，OptiMOS?  晶体管 - FET，MOSFET - 单 系列 汽车级，AEC-Q101，OptiMOS?  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 系列 汽车级，AEC-Q101，OptiMOS?   包装 带卷（TR）   Infineon Technologies 包装 带卷（TR）   晶体管 - FET，MOSFET - 单 包装 带卷（TR）   Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 包装 带卷（TR）    零件状态 不可用于新设计  Infineon Technologies 零件状态 不可用于新设计  晶体管 - FET，MOSFET - 单 零件状态 不可用于新设计  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 零件状态 不可用于新设计   供应商器件封装 PG-TDSON-8-23  Infineon Technologies 供应商器件封装 PG-TDSON-8-23  晶体管 - FET，MOSFET - 单 供应商器件封装 PG-TDSON-8-23  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 供应商器件封装 PG-TDSON-8-23   技术 MOSFET（金属氧化物）  Infineon Technologies 技术 MOSFET（金属氧化物）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 技术 MOSFET（金属氧化物）  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 技术 MOSFET（金属氧化物）   Vgs（最大值） ±20V  Infineon Technologies Vgs（最大值） ±20V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 Vgs（最大值） ±20V  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 Vgs（最大值） ±20V   不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 33nC @ 10V  Infineon Technologies 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 33nC @ 10V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 33nC @ 10V  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 33nC @ 10V   不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 6 毫欧 @ 30A，10V  Infineon Technologies 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 6 毫欧 @ 30A，10V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 6 毫欧 @ 30A，10V  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 6 毫欧 @ 30A，10V   驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V  Infineon Technologies 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V   FET 类型 N 沟道  Infineon Technologies FET 类型 N 沟道  晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道   电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 60A（Tc）  Infineon Technologies 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 60A（Tc）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 60A（Tc）  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 60A（Tc）   不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2650pF @ 25V  Infineon Technologies 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2650pF @ 25V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2650pF @ 25V  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2650pF @ 25V   FET 功能 -  Infineon Technologies FET 功能 -  晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 功能 -  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 功能 -   不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 30μA  Infineon Technologies 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 30μA  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 30μA  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 30μA   功率耗散（最大值） 63W（Tc）  Infineon Technologies 功率耗散（最大值） 63W（Tc）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 功率耗散（最大值） 63W（Tc）  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 功率耗散（最大值） 63W（Tc）   漏源电压（Vdss） 40V  Infineon Technologies 漏源电压（Vdss） 40V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 漏源电压（Vdss） 40V  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 漏源电压（Vdss） 40V