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产品规格

封装/外壳	TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
制造商	Infineon Technologies
安装类型	表面贴装
工作温度	-55°C ~ 175°C（TJ）
系列	OptiMOS??
包装	剪切带（CT）
零件状态	在售
供应商器件封装	PG-TO252-3
技术	MOSFET（金属氧化物）
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）	13nC @ 5V
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）	35 毫欧 @ 29A，10V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	4.5V，10V
FET 类型	N 沟道
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	29A（Tc）
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	800pF @ 30V
FET 功能	-
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	2V @ 28μA
功率耗散（最大值）	68W（Tc）
漏源电压（Vdss）	60V
关键词

产品资料

数据列表	IPD350N06L G
标准包装	1
其它名称	IPD350N06LGBTMA1CT

封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63  Infineon Technologies 封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63  晶体管 - FET，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63   制造商 Infineon Technologies  Infineon Technologies 制造商 Infineon Technologies  晶体管 - FET，MOSFET - 单 制造商 Infineon Technologies  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 制造商 Infineon Technologies   安装类型 表面贴装  Infineon Technologies 安装类型 表面贴装  晶体管 - FET，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装   工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）  Infineon Technologies 工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）   系列 OptiMOS??  Infineon Technologies 系列 OptiMOS??  晶体管 - FET，MOSFET - 单 系列 OptiMOS??  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 系列 OptiMOS??   包装 剪切带（CT）   Infineon Technologies 包装 剪切带（CT）   晶体管 - FET，MOSFET - 单 包装 剪切带（CT）   Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 包装 剪切带（CT）    零件状态 在售  Infineon Technologies 零件状态 在售  晶体管 - FET，MOSFET - 单 零件状态 在售  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 零件状态 在售   供应商器件封装 PG-TO252-3  Infineon Technologies 供应商器件封装 PG-TO252-3  晶体管 - FET，MOSFET - 单 供应商器件封装 PG-TO252-3  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 供应商器件封装 PG-TO252-3   技术 MOSFET（金属氧化物）  Infineon Technologies 技术 MOSFET（金属氧化物）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 技术 MOSFET（金属氧化物）  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 技术 MOSFET（金属氧化物）   Vgs（最大值） ±20V  Infineon Technologies Vgs（最大值） ±20V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 Vgs（最大值） ±20V  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 Vgs（最大值） ±20V   不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 5V  Infineon Technologies 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 5V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 5V  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 5V   不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 35 毫欧 @ 29A，10V  Infineon Technologies 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 35 毫欧 @ 29A，10V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 35 毫欧 @ 29A，10V  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 35 毫欧 @ 29A，10V   驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V  Infineon Technologies 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V   FET 类型 N 沟道  Infineon Technologies FET 类型 N 沟道  晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道   电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 29A（Tc）  Infineon Technologies 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 29A（Tc）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 29A（Tc）  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 29A（Tc）   不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 800pF @ 30V  Infineon Technologies 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 800pF @ 30V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 800pF @ 30V  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 800pF @ 30V   FET 功能 -  Infineon Technologies FET 功能 -  晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 功能 -  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 功能 -   不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 28μA  Infineon Technologies 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 28μA  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 28μA  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 28μA   功率耗散（最大值） 68W（Tc）  Infineon Technologies 功率耗散（最大值） 68W（Tc）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 功率耗散（最大值） 68W（Tc）  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 功率耗散（最大值） 68W（Tc）   漏源电压（Vdss） 60V  Infineon Technologies 漏源电压（Vdss） 60V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 漏源电压（Vdss） 60V  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 漏源电压（Vdss） 60V