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IPD80R1K0CEATMA1 - 

MOSFET N-CH 800V 5.7A TO252-3

Infineon Technologies IPD80R1K0CEATMA1
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
IPD80R1K0CEATMA1
仓库库存编号：
IPD80R1K0CEATMA1CT-ND
描述：
MOSFET N-CH 800V 5.7A TO252-3
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
表面贴装 N 沟道 5.7A（Tc） 83W（Tc） PG-TO252-3
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！

IPD80R1K0CEATMA1产品属性


产品规格
  封装/外壳  TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63  
  制造商  Infineon Technologies  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -55°C ~ 150°C（TJ）  
  系列  CoolMOS? CE  
  包装  剪切带（CT）   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  PG-TO252-3  
  技术  MOSFET（金属氧化物）  
  Vgs（最大值）  ±20V  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）  31nC @ 10V  
  不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）  950 毫欧 @ 3.6A，10V  
  驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）  10V  
  FET 类型  N 沟道  
  电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）  5.7A（Tc）  
  不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）  785pF @ 100V  
  FET 功能  -  
  不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）  3.9V @ 250μA  
  功率耗散（最大值）  83W（Tc）  
  漏源电压（Vdss）  800V  
关键词         

产品资料
数据列表 IPx80R1K0CE
标准包装 1
其它名称 IPD80R1K0CEATMA1CT

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