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IPD80R1K4CEATMA1 - 

MOSFET N-CH 800V 3.9A TO252-3

Infineon Technologies IPD80R1K4CEATMA1
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
IPD80R1K4CEATMA1
仓库库存编号：
IPD80R1K4CEATMA1CT-ND
描述：
MOSFET N-CH 800V 3.9A TO252-3
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
表面贴装 N 沟道 3.9A（Tc） 63W（Tc） PG-TO252-3
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
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IPD80R1K4CEATMA1 Infineon Technologies AG MOSFET N-CH 800V 3.9A TO252-32486
1起订		1+
10+
100+
500+
1000+
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￥13.73
￥20.19
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IPD80R1K4CEATMA1 Infineon Technologies AG MOSFET N-CH 800V 3.9A TO252-32486
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￥20.19
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IPD80R1K4CEATMA1 Infineon Technologies AG MOSFET N-CH 800V 3.9A TO252-30
2500起订		2500+
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￥6.32
￥6.24
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IPD80R1K4CEATMA1 Infineon Technologies AG MOSFETs N-Ch 800V 3.9A DPAK-22240
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2500+
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IPD80R1K4CEATMA1 Infineon Technologies AG Trans MOSFET N-CH 800(Min)V 3.9A 3-Pin TO-252 T/R - Tape and Reel (Alt: IPD80R1K4CEATMA1)0
2500起订		2500+
5000+
10000+
15000+
20000+
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￥4.68
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IPD80R1K4CEATMA1 Infineon Technologies AG Trans MOSFET N-CH 800V 3.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R0
2500起订		2500+
5000+
￥6.78
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IPD80R1K4CEATMA1 Infineon Technologies AG , MOSFET, N, 800V, 3.9A, TO-252-37974
100起订		100+
500+
1000+
5000+
￥8.19
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IPD80R1K4CEATMA1 Infineon Technologies AG , MOSFET, N, 800V, 3.9A, TO-252-37974
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500+
1000+
5000+
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￥8.19
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型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
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IPD80R1K4CEATMA1 Infineon Technologies AG Transistor: N-MOSFET, unipolar, 800V, 2.3A, 63W, PG-TO252-30
1起订		1+
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25+
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￥22.73
￥19.44
￥15.73
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IPD80R1K4CEATMA1 Infineon Technologies AG Infineon MOSFET IPD80R1K4CEATMA1, RL5000
2500起订		2500+
12500+
￥7.17
￥7.02
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IPD80R1K4CEATMA1 Infineon Technologies AG Infineon MOSFET IPD80R1K4CEATMA1, RL5000
630起订		630+
1245+
￥12.43
￥12.06
1-3周购买 购买
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IPD80R1K4CEATMA1 Infineon Technologies AG Infineon MOSFET IPD80R1K4CEATMA1, PK5000
15起订		15+
630+
1245+
￥12.81
￥12.43
￥12.06
1-3周购买 购买
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IPD80R1K4CEATMA1产品属性


产品规格
  封装/外壳  TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63  
  制造商  Infineon Technologies  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -55°C ~ 150°C（TJ）  
  系列  CoolMOS??  
  包装  剪切带（CT）   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  PG-TO252-3  
  技术  MOSFET（金属氧化物）  
  Vgs（最大值）  ±20V  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）  23nC @ 10V  
  不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）  1.4 欧姆 @ 2.3A，10V  
  驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）  10V  
  FET 类型  N 沟道  
  电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）  3.9A（Tc）  
  不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）  570pF @ 100V  
  FET 功能  -  
  不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）  3.9V @ 240μA  
  功率耗散（最大值）  63W（Tc）  
  漏源电压（Vdss）  800V  
关键词         

产品资料
数据列表 IPx80R1K4CE
标准包装 1
其它名称 IPD80R1K4CEATMA1CT

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封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63  Infineon Technologies 封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63  晶体管 - FET，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63   制造商 Infineon Technologies  Infineon Technologies 制造商 Infineon Technologies  晶体管 - FET，MOSFET - 单 制造商 Infineon Technologies  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 制造商 Infineon Technologies   安装类型 表面贴装  Infineon Technologies 安装类型 表面贴装  晶体管 - FET，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装   工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Infineon Technologies 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）   系列 CoolMOS??  Infineon Technologies 系列 CoolMOS??  晶体管 - FET，MOSFET - 单 系列 CoolMOS??  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 系列 CoolMOS??   包装 剪切带（CT）   Infineon Technologies 包装 剪切带（CT）   晶体管 - FET，MOSFET - 单 包装 剪切带（CT）   Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 包装 剪切带（CT）    零件状态 在售  Infineon Technologies 零件状态 在售  晶体管 - FET，MOSFET - 单 零件状态 在售  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 零件状态 在售   供应商器件封装 PG-TO252-3  Infineon Technologies 供应商器件封装 PG-TO252-3  晶体管 - FET，MOSFET - 单 供应商器件封装 PG-TO252-3  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 供应商器件封装 PG-TO252-3   技术 MOSFET（金属氧化物）  Infineon Technologies 技术 MOSFET（金属氧化物）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 技术 MOSFET（金属氧化物）  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 技术 MOSFET（金属氧化物）   Vgs（最大值） ±20V  Infineon Technologies Vgs（最大值） ±20V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 Vgs（最大值） ±20V  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 Vgs（最大值） ±20V   不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 10V  Infineon Technologies 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 10V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 10V  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 10V   不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 1.4 欧姆 @ 2.3A，10V  Infineon Technologies 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 1.4 欧姆 @ 2.3A，10V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 1.4 欧姆 @ 2.3A，10V  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 1.4 欧姆 @ 2.3A，10V   驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V  Infineon Technologies 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V   FET 类型 N 沟道  Infineon Technologies FET 类型 N 沟道  晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道   电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3.9A（Tc）  Infineon Technologies 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3.9A（Tc）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3.9A（Tc）  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3.9A（Tc）   不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 570pF @ 100V  Infineon Technologies 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 570pF @ 100V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 570pF @ 100V  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 570pF @ 100V   FET 功能 -  Infineon Technologies FET 功能 -  晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 功能 -  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 功能 -   不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.9V @ 240μA  Infineon Technologies 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.9V @ 240μA  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.9V @ 240μA  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.9V @ 240μA   功率耗散（最大值） 63W（Tc）  Infineon Technologies 功率耗散（最大值） 63W（Tc）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 功率耗散（最大值） 63W（Tc）  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 功率耗散（最大值） 63W（Tc）   漏源电压（Vdss） 800V  Infineon Technologies 漏源电压（Vdss） 800V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 漏源电压（Vdss） 800V  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 漏源电压（Vdss） 800V  
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MOSFET N-CH 800V 3.9A TO252-3

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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MOSFET N-CH 800V 3.9A TO252-3

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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MOSFET N-CH 800V 3.9A TO252-3

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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MOSFET N-Ch 800V 3.9A DPAK-2

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Trans MOSFET N-CH 800(Min)V 3.9A 3-Pin TO-252 T/R (Alt: IPD80R1K4CEATMA1)

RoHS: Compliant

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Trans MOSFET N-CH 800(Min)V 3.9A 3-Pin TO-252 T/R - Tape and Reel (Alt: IPD80R1K4CEATMA1)

RoHS: Compliant

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Trans MOSFET N-CH 800V 3.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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Trans MOSFET N-CH 800V 3.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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Trans MOSFET N-CH 800V 3.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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MOSFET, N-CH, 800V, 3.9A, TO-252-3

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Single N-Channel 800 V 1.4 Ohm 23 nC CoolMOS? Power Mosfet - TO-252-3

RoHS: Not Compliant | pbFree: Yes

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IPD80R1K4CEATMA1
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Single N-Channel 800 V 1.4 Ohm 23 nC CoolMOS? Power Mosfet - TO-252-3

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Infineon Technologies - IPD80R1K4CEATMA1 - MOSFET N-CH 800V 3.9A TO252-3		Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 3.9A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 3.9A（Tc） 63W（Tc） PG-TO252-3

型号：IPD80R1K4CEATMA1
仓库库存编号：IPD80R1K4CEATMA1CT-ND
别名：IPD80R1K4CEATMA1CT <br>

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无图IPD80R1K4CEATMA1
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IPD80R1K4CEATMA1
INFINEON IPD80R1K4CEATMA1		2726058

INFINEON

功率场效应管, MOSFET, N沟道, 3.9 A, 800 V, 1.2 ohm, 10 V, 3 V

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