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IPD80R1K4CEBTMA1 - 

MOSFET N-CH 800V 3.9A TO252-3

  • 不再生产的版本 请参阅“替代封装”或“替代品”选项。
Infineon Technologies IPD80R1K4CEBTMA1
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
IPD80R1K4CEBTMA1
仓库库存编号：
IPD80R1K4CEBTMA1CT-ND
描述：
MOSFET N-CH 800V 3.9A TO252-3
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
表面贴装 N 沟道 800V 3.9A（Tc） 63W（Tc） TO-252-3
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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IPD80R1K4CEBTMA1产品属性


产品规格
  封装/外壳  TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63  
  制造商  Infineon Technologies  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -55°C ~ 150°C（TJ）  
  系列  CoolMOS??  
  包装  剪切带（CT）   
  零件状态   已不再提供  
  供应商器件封装  TO-252-3  
  技术  MOSFET（金属氧化物）  
  Vgs（最大值）  ±20V  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）  23nC @ 10V  
  不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）  1.4 欧姆 @ 2.3A，10V  
  驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）  10V  
  FET 类型  N 沟道  
  电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）  3.9A（Tc）  
  不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）  570pF @ 100V  
  FET 功能  -  
  不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）  3.9V @ 240μA  
  功率耗散（最大值）  63W（Tc）  
  漏源电压（Vdss）  800V  
关键词         

产品资料
数据列表 IPx80R1K4CE
标准包装 1
其它名称 IPD80R1K4CEBTMA1CT

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型号 制造商 描述 操作
IPD80R1K4CEBTMA1
[更多]		 Infineon Technologies AG

MOSFET N-CH 800V 3.9A TO252-3

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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MOSFET N-CH 800V 3.9A TO252-3

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  美国2号仓库    仓库直销，订单金额100元起订，满300元含运，满500元含税运，有单就有优惠，量大更优惠，支持原厂订货
型号 制造商 描述 操作
IPD80R1K4CE
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MOSFET N-Ch 800V 3.9A DPAK-2

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MOSFET N-Ch 800V 3.9A DPAK-2

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Infineon Technologies - IPD80R1K4CEBTMA1 - MOSFET N-CH 800V 3.9A TO252-3		Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 3.9A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 800V 3.9A（Tc） 63W（Tc） TO-252-3

型号：IPD80R1K4CEBTMA1
仓库库存编号：IPD80R1K4CEBTMA1CT-ND
别名：IPD80R1K4CEBTMA1CT <br>

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