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IPD90N06S4L03ATMA2
IPD90N06S4L03ATMA2 -
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
非库存货
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Infineon Technologies
Infineon Technologies
制造商产品编号:
IPD90N06S4L03ATMA2
仓库库存编号:
IPD90N06S4L03ATMA2-ND
描述:
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
表面贴装 N 沟道 60V 90A(Tc) 150W(Tc) PG-TO252-3-11
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
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sales@szcwdz.com
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IPD90N06S4L03ATMA2产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
制造商
Infineon Technologies
安装类型
表面贴装
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
系列
汽车级,AEC-Q101,OptiMOS?
包装
带卷(TR)
零件状态
在售
供应商器件封装
PG-TO252-3-11
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±16V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
170nC @ 10V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
3.5 毫欧 @ 90A,10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
FET 类型
N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
90A(Tc)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
13000pF @ 25V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
2.2V @ 90μA
功率耗散(最大值)
150W(Tc)
漏源电压(Vdss)
60V
关键词
产品资料
数据列表
IPD90N06S4L-03
标准包装
2,500
其它名称
SP001028764
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包装 带卷(TR)
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零件状态 在售
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供应商器件封装 PG-TO252-3-11
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不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 90μA
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