IPG20N06S4L14ATMA1,Infineon Technologies,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
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IPG20N06S4L14ATMA1 - 

MOSFET 2N-CH 8TDSON

  • 不再生产的版本 请参阅“替代封装”或“替代品”选项。
Infineon Technologies IPG20N06S4L14ATMA1
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
IPG20N06S4L14ATMA1
仓库库存编号:
IPG20N06S4L14ATMA1-ND
描述:
MOSFET 2N-CH 8TDSON
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 20A 50W Surface Mount PG-TDSON-8-4
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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IPG20N06S4L14ATMA1产品属性


产品规格
  封装/外壳  8-PowerVDFN  
  制造商  Infineon Technologies  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -55°C ~ 175°C(TJ)  
  系列  汽车级,AEC-Q101,OptiMOS?  
  包装  带卷(TR)   
  零件状态   已不再提供  
  供应商器件封装  PG-TDSON-8-4  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)  39nC @ 10V  
  不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)  13.7 毫欧 @ 17A,10V  
  FET 类型  2 个 N 沟道(双)  
  电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)  20A  
  不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)  2890pF @ 25V  
  FET 功能  逻辑电平门  
  不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)  2.2V @ 20μA  
  漏源电压(Vdss)  60V  
  功率 - 最大值  50W  
关键词         

产品资料
数据列表 IPG20N06S4L-14
标准包装 5,000
其它名称 SP000705540

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