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产品规格

封装/外壳	8-PowerVDFN
制造商	Infineon Technologies
安装类型	表面贴装
工作温度	-55°C ~ 175°C（TJ）
系列	汽车级，AEC-Q101，OptiMOS?
包装	带卷（TR）
零件状态	已不再提供
供应商器件封装	PG-TDSON-8-4
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）	39nC @ 10V
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）	13.7 毫欧 @ 17A，10V
FET 类型	2 个 N 沟道（双）
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	20A
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	2890pF @ 25V
FET 功能	逻辑电平门
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	2.2V @ 20μA
漏源电压（Vdss）	60V
功率 - 最大值	50W
关键词

产品资料

数据列表	IPG20N06S4L-14
标准包装	5,000
其它名称	SP000705540

封装/外壳 8-PowerVDFN  Infineon Technologies 封装/外壳 8-PowerVDFN  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 封装/外壳 8-PowerVDFN  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 封装/外壳 8-PowerVDFN   制造商 Infineon Technologies  Infineon Technologies 制造商 Infineon Technologies  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 制造商 Infineon Technologies  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 制造商 Infineon Technologies   安装类型 表面贴装  Infineon Technologies 安装类型 表面贴装  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装   工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）  Infineon Technologies 工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）   系列 汽车级，AEC-Q101，OptiMOS?  Infineon Technologies 系列 汽车级，AEC-Q101，OptiMOS?  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 系列 汽车级，AEC-Q101，OptiMOS?  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 系列 汽车级，AEC-Q101，OptiMOS?   包装 带卷（TR）   Infineon Technologies 包装 带卷（TR）   晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 包装 带卷（TR）   Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 包装 带卷（TR）    零件状态  已不再提供  Infineon Technologies 零件状态  已不再提供  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 零件状态  已不再提供  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 零件状态  已不再提供   供应商器件封装 PG-TDSON-8-4  Infineon Technologies 供应商器件封装 PG-TDSON-8-4  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 供应商器件封装 PG-TDSON-8-4  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 供应商器件封装 PG-TDSON-8-4   不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 39nC @ 10V  Infineon Technologies 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 39nC @ 10V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 39nC @ 10V  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 39nC @ 10V   不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 13.7 毫欧 @ 17A，10V  Infineon Technologies 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 13.7 毫欧 @ 17A，10V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 13.7 毫欧 @ 17A，10V  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 13.7 毫欧 @ 17A，10V   FET 类型 2 个 N 沟道（双）  Infineon Technologies FET 类型 2 个 N 沟道（双）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 类型 2 个 N 沟道（双）  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 类型 2 个 N 沟道（双）   电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 20A  Infineon Technologies 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 20A  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 20A  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 20A   不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2890pF @ 25V  Infineon Technologies 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2890pF @ 25V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2890pF @ 25V  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2890pF @ 25V   FET 功能 逻辑电平门  Infineon Technologies FET 功能 逻辑电平门  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 功能 逻辑电平门  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 功能 逻辑电平门   不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 20μA  Infineon Technologies 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 20μA  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 20μA  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 20μA   漏源电压（Vdss） 60V  Infineon Technologies 漏源电压（Vdss） 60V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 漏源电压（Vdss） 60V  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 漏源电压（Vdss） 60V   功率 - 最大值 50W  Infineon Technologies 功率 - 最大值 50W  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 50W  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 50W