IPG20N10S4L22ATMA1,Infineon Technologies,分立半导体产品,晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
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IPG20N10S4L22ATMA1 - 

MOSFET 2N-CH 8TDSON

Infineon Technologies IPG20N10S4L22ATMA1
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
IPG20N10S4L22ATMA1
仓库库存编号：
IPG20N10S4L22ATMA1CT-ND
描述：
MOSFET 2N-CH 8TDSON
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 20A 60W Surface Mount PG-TDSON-8-4
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！

IPG20N10S4L22ATMA1产品属性


产品规格
  封装/外壳  8-PowerVDFN  
  制造商  Infineon Technologies  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -55°C ~ 175°C（TJ）  
  系列  汽车级，AEC-Q101，OptiMOS?  
  包装  剪切带（CT）   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  PG-TDSON-8-4  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）  27nC @ 10V  
  不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）  22 毫欧 @ 17A，10V  
  FET 类型  2 个 N 沟道（双）  
  电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）  20A  
  不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）  1755pF @ 25V  
  FET 功能  逻辑电平门  
  不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）  2.1V @ 25μA  
  漏源电压（Vdss）  100V  
  功率 - 最大值  60W  
关键词         

产品资料
数据列表 IPG20N10S4L-22
标准包装 1
其它名称 IPG20N10S4L22ATMA1CT

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