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IPI084N06L3GXKSA1
IPI084N06L3GXKSA1 -
MOSFET N-CH TO262-3
非库存货
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Infineon Technologies
Infineon Technologies
制造商产品编号:
IPI084N06L3GXKSA1
仓库库存编号:
IPI084N06L3GXKSA1-ND
描述:
MOSFET N-CH TO262-3
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
通孔 N 沟道 60V 50A(Tc) 79W(Tc) PG-TO262-3-1
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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IPI084N06L3GXKSA1产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-262-3,长引线,I2Pak,TO-262AA
制造商
Infineon Technologies
安装类型
通孔
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
系列
OptiMOS??
包装
管件
零件状态
在售
供应商器件封装
PG-TO262-3-1
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
29nC @ 4.5V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
8.4 毫欧 @ 50A,10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
FET 类型
N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
50A(Tc)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
4900pF @ 30V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
2.2V @ 34μA
功率耗散(最大值)
79W(Tc)
漏源电压(Vdss)
60V
关键词
产品资料
数据列表
IPx084N06L3G
标准包装
500
其它名称
SP001065242
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制造商 Infineon Technologies
Infineon Technologies 制造商 Infineon Technologies
晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 Infineon Technologies
Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 Infineon Technologies
安装类型 通孔
Infineon Technologies 安装类型 通孔
晶体管 - FET,MOSFET - 单 安装类型 通孔
Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 单 安装类型 通孔
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
Infineon Technologies 工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
系列 OptiMOS??
Infineon Technologies 系列 OptiMOS??
晶体管 - FET,MOSFET - 单 系列 OptiMOS??
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包装 管件
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零件状态 在售
Infineon Technologies 零件状态 在售
晶体管 - FET,MOSFET - 单 零件状态 在售
Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 单 零件状态 在售
供应商器件封装 PG-TO262-3-1
Infineon Technologies 供应商器件封装 PG-TO262-3-1
晶体管 - FET,MOSFET - 单 供应商器件封装 PG-TO262-3-1
Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 单 供应商器件封装 PG-TO262-3-1
技术 MOSFET(金属氧化物)
Infineon Technologies 技术 MOSFET(金属氧化物)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 技术 MOSFET(金属氧化物)
Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 单 技术 MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值) ±20V
Infineon Technologies Vgs(最大值) ±20V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 Vgs(最大值) ±20V
Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 单 Vgs(最大值) ±20V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 4.5V
Infineon Technologies 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 4.5V
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不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 8.4 毫欧 @ 50A,10V
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驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
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不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4900pF @ 30V
Infineon Technologies 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4900pF @ 30V
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FET 功能 -
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不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 34μA
Infineon Technologies 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 34μA
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 34μA
Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 34μA
功率耗散(最大值) 79W(Tc)
Infineon Technologies 功率耗散(最大值) 79W(Tc)
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漏源电压(Vdss) 60V
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 60V
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