IPLU300N04S41R1XTMA1,Infineon Technologies,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 单
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IPLU300N04S41R1XTMA1
IPLU300N04S41R1XTMA1 -
MOSFET N-CH 8HSOF
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Infineon Technologies
Infineon Technologies
制造商产品编号:
IPLU300N04S41R1XTMA1
仓库库存编号:
IPLU300N04S41R1XTMA1CT-ND
描述:
MOSFET N-CH 8HSOF
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
表面贴装 N 沟道 300A(Tc) 300W(Tc) PG-HSOF-8-1
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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IPLU300N04S41R1XTMA1产品属性
产品规格
封装/外壳
8-PowerSFN
制造商
Infineon Technologies
安装类型
表面贴装
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
系列
汽车级,AEC-Q101,OptiMOS?
包装
剪切带(CT)
零件状态
在售
供应商器件封装
PG-HSOF-8-1
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
151nC @ 10V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
1.15 毫欧 @ 100A,10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
FET 类型
N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
300A(Tc)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
12090pF @ 25V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4V @ 125μA
功率耗散(最大值)
300W(Tc)
漏源电压(Vdss)
40V
关键词
产品资料
数据列表
IPLU300N04S4-1R1
标准包装
1
其它名称
IPLU300N04S41R1XTMA1CT
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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操作
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 300A 8HSOF
详细描述:表面贴装 N 沟道 300A(Tc) 3.8W(Ta),300W(Tc) PG-HSOF-8-1
型号:
IPT004N03LATMA1
仓库库存编号:
IPT004N03LATMA1CT-ND
别名:IPT004N03LATMA1CT
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 300A PSOF8
详细描述:表面贴装 N 沟道 300A(Tc) 429W(Tj) 8-PSOF
型号:
FDBL9401_F085
仓库库存编号:
FDBL9401_F085CT-ND
别名:FDBL9401_F085CT
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 80V 300A PSOF8
详细描述:表面贴装 N 沟道 300A(Tc) 429W(Tj) 8-PSOF
型号:
FDBL86361_F085
仓库库存编号:
FDBL86361_F085CT-ND
别名:FDBL86361_F085CT
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 25V LFPAK56
详细描述:表面贴装 N 沟道 300A(Tc) 158W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
PSMN0R7-25YLDX
仓库库存编号:
1727-2514-1-ND
别名:1727-2514-1
568-12952-1
568-12952-1-ND
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET NCH 40V 523A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 523A(Tc) 375W(Tc) D2PAK(7-Lead)
型号:
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仓库库存编号:
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别名:SP001520354
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 40V
Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 40V
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