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产品规格

封装/外壳	TO-261-4，TO-261AA
制造商	Infineon Technologies
安装类型	表面贴装
工作温度	-40°C ~ 150°C（TJ）
系列	CoolMOS? P7
零件状态	在售
供应商器件封装	PG-SOT223
技术	MOSFET（金属氧化物）
Vgs（最大值）	±16V
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）	6.8nC @ 10V
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）	900 毫欧 @ 1.1A，10V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
FET 类型	N 沟道
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	6A（Tc）
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	211pF @ 400V
FET 功能	-
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	3.5V @ 60μA
功率耗散（最大值）	6.5W（Tc）
漏源电压（Vdss）	700V
关键词

产品资料

数据列表	IPN70R900P7S
标准包装	1
其它名称	IPN70R900P7SATMA1CT

封装/外壳 TO-261-4，TO-261AA  Infineon Technologies 封装/外壳 TO-261-4，TO-261AA  晶体管 - FET，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-261-4，TO-261AA  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-261-4，TO-261AA   制造商 Infineon Technologies  Infineon Technologies 制造商 Infineon Technologies  晶体管 - FET，MOSFET - 单 制造商 Infineon Technologies  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 制造商 Infineon Technologies   安装类型 表面贴装  Infineon Technologies 安装类型 表面贴装  晶体管 - FET，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装   工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）  Infineon Technologies 工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）   系列 CoolMOS? P7  Infineon Technologies 系列 CoolMOS? P7  晶体管 - FET，MOSFET - 单 系列 CoolMOS? P7  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 系列 CoolMOS? P7   零件状态 在售  Infineon Technologies 零件状态 在售  晶体管 - FET，MOSFET - 单 零件状态 在售  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 零件状态 在售   供应商器件封装 PG-SOT223  Infineon Technologies 供应商器件封装 PG-SOT223  晶体管 - FET，MOSFET - 单 供应商器件封装 PG-SOT223  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 供应商器件封装 PG-SOT223   技术 MOSFET（金属氧化物）  Infineon Technologies 技术 MOSFET（金属氧化物）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 技术 MOSFET（金属氧化物）  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 技术 MOSFET（金属氧化物）   Vgs（最大值） ±16V  Infineon Technologies Vgs（最大值） ±16V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 Vgs（最大值） ±16V  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 Vgs（最大值） ±16V   不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6.8nC @ 10V  Infineon Technologies 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6.8nC @ 10V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6.8nC @ 10V  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6.8nC @ 10V   不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 900 毫欧 @ 1.1A，10V  Infineon Technologies 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 900 毫欧 @ 1.1A，10V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 900 毫欧 @ 1.1A，10V  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 900 毫欧 @ 1.1A，10V   驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V  Infineon Technologies 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V   FET 类型 N 沟道  Infineon Technologies FET 类型 N 沟道  晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道   电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6A（Tc）  Infineon Technologies 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6A（Tc）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6A（Tc）  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6A（Tc）   不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 211pF @ 400V  Infineon Technologies 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 211pF @ 400V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 211pF @ 400V  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 211pF @ 400V   FET 功能 -  Infineon Technologies FET 功能 -  晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 功能 -  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 功能 -   不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 60μA  Infineon Technologies 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 60μA  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 60μA  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 60μA   功率耗散（最大值） 6.5W（Tc）  Infineon Technologies 功率耗散（最大值） 6.5W（Tc）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 功率耗散（最大值） 6.5W（Tc）  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 功率耗散（最大值） 6.5W（Tc）   漏源电压（Vdss） 700V  Infineon Technologies 漏源电压（Vdss） 700V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 漏源电压（Vdss） 700V  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 漏源电压（Vdss） 700V