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IPP65R074C6XKSA1 - 

MOSFET N-CH 650V 57.7A TO220

  • 不推荐用于新设计，因为可能有最低订货量限制。 请参阅“替代封装”或“替代品”选项。
Infineon Technologies IPP65R074C6XKSA1
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
IPP65R074C6XKSA1
仓库库存编号：
IPP65R074C6XKSA1-ND
描述：
MOSFET N-CH 650V 57.7A TO220
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
通孔 N 沟道 57.7A（Tc） 480.8W（Tc） PG-TO-220-3
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！

IPP65R074C6XKSA1产品属性


产品规格
  封装/外壳  TO-220-3  
  制造商  Infineon Technologies  
  安装类型  通孔  
  工作温度  -55°C ~ 150°C（TJ）  
  系列  CoolMOS??  
  包装  管件   
  零件状态  不可用于新设计  
  供应商器件封装  PG-TO-220-3  
  技术  MOSFET（金属氧化物）  
  Vgs（最大值）  ±20V  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）  17nC @ 10V  
  不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）  74 毫欧 @ 13.9A，10V  
  驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）  10V  
  FET 类型  N 沟道  
  电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）  57.7A（Tc）  
  不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）  3020pF @ 100V  
  FET 功能  -  
  不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）  3.5V @ 1.4mA  
  功率耗散（最大值）  480.8W（Tc）  
  漏源电压（Vdss）  650V  
关键词         

产品资料
数据列表 IPP65R074C6
标准包装 500
其它名称 SP000898650

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