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IPP80N06S2L09AKSA1 - 

MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3

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Infineon Technologies IPP80N06S2L09AKSA1
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
IPP80N06S2L09AKSA1
仓库库存编号：
IPP80N06S2L09AKSA1-ND
描述：
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
通孔 N 沟道 55V 80A（Tc） 190W（Tc） PG-TO220-3-1
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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IPP80N06S2L09AKSA1产品属性


产品规格
  封装/外壳  TO-220-3  
  制造商  Infineon Technologies  
  安装类型  通孔  
  工作温度  -55°C ~ 175°C（TJ）  
  系列  OptiMOS??  
  包装  管件   
  零件状态   已不再提供  
  供应商器件封装  PG-TO220-3-1  
  技术  MOSFET（金属氧化物）  
  Vgs（最大值）  ±20V  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）  105nC @ 10V  
  不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）  8.5 毫欧 @ 52A，10V  
  驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）  4.5V，10V  
  FET 类型  N 沟道  
  电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）  80A（Tc）  
  不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）  2620pF @ 25V  
  FET 功能  -  
  不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）  2V @ 125μA  
  功率耗散（最大值）  190W（Tc）  
  漏源电压（Vdss）  55V  
关键词         

产品资料
数据列表 IPB,IPP80N06S2L-09
标准包装 500
其它名称 IPP80N06S2L-09
IPP80N06S2L-09-ND
SP000218742

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详细描述：通孔 N 沟道 55V 80A（Tc） 190W（Tc） PG-TO220-3-1

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