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IPW65R048CFDAFKSA1
IPW65R048CFDAFKSA1 -
MOSFET N-CH 650V TO-247-3
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Infineon Technologies
Infineon Technologies
制造商产品编号:
IPW65R048CFDAFKSA1
仓库库存编号:
IPW65R048CFDAFKSA1-ND
描述:
MOSFET N-CH 650V TO-247-3
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
通孔 N 沟道 63.3A(Tc) 500W(Tc) PG-TO247-3
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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IPW65R048CFDAFKSA1产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-247-3
制造商
Infineon Technologies
安装类型
通孔
工作温度
-40°C ~ 150°C(TJ)
系列
汽车级,AEC-Q101,CoolMOS?
包装
管件
零件状态
在售
供应商器件封装
PG-TO247-3
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
270nC @ 10V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
48 毫欧 @ 29.4A,10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
FET 类型
N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
63.3A(Tc)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
7440pF @ 100V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4.5V @ 2.9mA
功率耗散(最大值)
500W(Tc)
漏源电压(Vdss)
650V
关键词
产品资料
数据列表
IPW65R048CFDA
标准包装
240
其它名称
SP000895318
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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型号:
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仓库库存编号:
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别名:SP000928646
无铅
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型号:
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别名:TLE4252DATMA1CT
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型号:
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OSRAM Opto Semiconductors Inc.
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Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 650V
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