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产品规格

封装/外壳	8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
制造商	Infineon Technologies
安装类型	表面贴装
工作温度	-40°C ~ 150°C（TJ）
系列	-
包装	管件
零件状态	过期
电压 - 电源	10 V ~ 20 V
供应商器件封装	8-SOIC
输入类型	非反相
上升/下降时间（典型值）	150ns，50ns
通道类型	独立式
栅极类型	IGBT，N 沟道 MOSFET
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）	200mA，350mA
逻辑电压?- VIL，VIH	0.8V，2.9V
驱动配置	半桥
驱动器数	2
高压侧电压 - 最大值（自举）	600V
关键词

产品资料

数据列表	IR2106(4) (S) (PbF)
标准包装	95
其它名称	*IR2106S SP001536808

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• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）  Infineon Technologies 封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）  PMIC - 栅极驱动器 封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）  Infineon Technologies PMIC - 栅极驱动器 封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）   制造商 Infineon Technologies  Infineon Technologies 制造商 Infineon Technologies  PMIC - 栅极驱动器 制造商 Infineon Technologies  Infineon Technologies PMIC - 栅极驱动器 制造商 Infineon Technologies   安装类型 表面贴装  Infineon Technologies 安装类型 表面贴装  PMIC - 栅极驱动器 安装类型 表面贴装  Infineon Technologies PMIC - 栅极驱动器 安装类型 表面贴装   工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）  Infineon Technologies 工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）  PMIC - 栅极驱动器 工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）  Infineon Technologies PMIC - 栅极驱动器 工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）   系列 -  Infineon Technologies 系列 -  PMIC - 栅极驱动器 系列 -  Infineon Technologies PMIC - 栅极驱动器 系列 -   包装 管件   Infineon Technologies 包装 管件   PMIC - 栅极驱动器 包装 管件   Infineon Technologies PMIC - 栅极驱动器 包装 管件    零件状态 过期  Infineon Technologies 零件状态 过期  PMIC - 栅极驱动器 零件状态 过期  Infineon Technologies PMIC - 栅极驱动器 零件状态 过期   电压 - 电源 10 V ~ 20 V  Infineon Technologies 电压 - 电源 10 V ~ 20 V  PMIC - 栅极驱动器 电压 - 电源 10 V ~ 20 V  Infineon Technologies PMIC - 栅极驱动器 电压 - 电源 10 V ~ 20 V   供应商器件封装 8-SOIC  Infineon Technologies 供应商器件封装 8-SOIC  PMIC - 栅极驱动器 供应商器件封装 8-SOIC  Infineon Technologies PMIC - 栅极驱动器 供应商器件封装 8-SOIC   输入类型 非反相  Infineon Technologies 输入类型 非反相  PMIC - 栅极驱动器 输入类型 非反相  Infineon Technologies PMIC - 栅极驱动器 输入类型 非反相   上升/下降时间（典型值） 150ns，50ns  Infineon Technologies 上升/下降时间（典型值） 150ns，50ns  PMIC - 栅极驱动器 上升/下降时间（典型值） 150ns，50ns  Infineon Technologies PMIC - 栅极驱动器 上升/下降时间（典型值） 150ns，50ns   通道类型 独立式  Infineon Technologies 通道类型 独立式  PMIC - 栅极驱动器 通道类型 独立式  Infineon Technologies PMIC - 栅极驱动器 通道类型 独立式   栅极类型 IGBT，N 沟道 MOSFET  Infineon Technologies 栅极类型 IGBT，N 沟道 MOSFET  PMIC - 栅极驱动器 栅极类型 IGBT，N 沟道 MOSFET  Infineon Technologies PMIC - 栅极驱动器 栅极类型 IGBT，N 沟道 MOSFET   电流 - 峰值输出（灌入，拉出） 200mA，350mA  Infineon Technologies 电流 - 峰值输出（灌入，拉出） 200mA，350mA  PMIC - 栅极驱动器 电流 - 峰值输出（灌入，拉出） 200mA，350mA  Infineon Technologies PMIC - 栅极驱动器 电流 - 峰值输出（灌入，拉出） 200mA，350mA   逻辑电压?- VIL，VIH 0.8V，2.9V  Infineon Technologies 逻辑电压?- VIL，VIH 0.8V，2.9V  PMIC - 栅极驱动器 逻辑电压?- VIL，VIH 0.8V，2.9V  Infineon Technologies PMIC - 栅极驱动器 逻辑电压?- VIL，VIH 0.8V，2.9V   驱动配置 半桥  Infineon Technologies 驱动配置 半桥  PMIC - 栅极驱动器 驱动配置 半桥  Infineon Technologies PMIC - 栅极驱动器 驱动配置 半桥   驱动器数 2  Infineon Technologies 驱动器数 2  PMIC - 栅极驱动器 驱动器数 2  Infineon Technologies PMIC - 栅极驱动器 驱动器数 2   高压侧电压 - 最大值（自举） 600V  Infineon Technologies 高压侧电压 - 最大值（自举） 600V  PMIC - 栅极驱动器 高压侧电压 - 最大值（自举） 600V  Infineon Technologies PMIC - 栅极驱动器 高压侧电压 - 最大值（自举） 600V