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IR2110STRPBF
IR2110STRPBF -
IC DRIVER HIGH/LOW SIDE 16SOIC
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Infineon Technologies
Infineon Technologies
制造商产品编号:
IR2110STRPBF
仓库库存编号:
IR2110SPBFCT-ND
描述:
IC DRIVER HIGH/LOW SIDE 16SOIC
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
3(168 小时)
详细描述:
Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 16-SOIC
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
IR2110STRPBF产品属性
产品规格
封装/外壳
16-SOIC(0.295",7.50mm 宽)
制造商
Infineon Technologies
安装类型
表面贴装
工作温度
-40°C ~ 150°C(TJ)
系列
-
包装
剪切带(CT)
零件状态
在售
电压 - 电源
3.3 V ~ 20 V
供应商器件封装
16-SOIC
输入类型
非反相
上升/下降时间(典型值)
25ns,17ns
通道类型
独立式
栅极类型
IGBT,N 沟道 MOSFET
电流 - 峰值输出(灌入,拉出)
2A,2A
逻辑电压?- VIL,VIH
6V,9.5V
驱动配置
半桥
驱动器数
2
高压侧电压 - 最大值(自举)
500V
关键词
产品资料
数据列表
IR2110(-1-2)(S)PbF/IR2113(-1-2)(S)PbF
标准包装
1
其它名称
*IR2110STRPBF
IR2110SPBFCT
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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操作
Infineon Technologies
IC DRIVER HIGH/LOW SIDE 14DIP
详细描述:Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
型号:
IR2110PBF
仓库库存编号:
IR2110PBF-ND
别名:*IR2110PBF
SP001536788
无铅
搜索
Diodes Incorporated
DIODE GEN PURP 600V 1A SMA
详细描述:标准 表面贴装 二极管 1A SMA
型号:
US1J-13-F
仓库库存编号:
US1J-FDICT-ND
别名:US1J-FDICT
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
DIODE SCHOTTKY 40V 1A SMA
详细描述:肖特基 表面贴装 二极管 1A SMA(DO-214AC)
型号:
SS14
仓库库存编号:
SS14CT-ND
别名:SS14CT
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
DIODE SCHOTTKY 60V 3A SOD128
详细描述:肖特基 表面贴装 二极管 3A CFP5
型号:
PMEG6030EVPX
仓库库存编号:
1727-1349-1-ND
别名:1727-1349-1
568-10782-1
568-10782-1-ND
PMEG6030EVP,115
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 400V 6A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 6A(Tc) 60W(Tc) DPAK
型号:
STD9N40M2
仓库库存编号:
497-15465-1-ND
别名:497-15465-1
无铅
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封装/外壳 16-SOIC(0.295",7.50mm 宽)
Infineon Technologies 封装/外壳 16-SOIC(0.295",7.50mm 宽)
PMIC - 栅极驱动器 封装/外壳 16-SOIC(0.295",7.50mm 宽)
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制造商 Infineon Technologies
Infineon Technologies 制造商 Infineon Technologies
PMIC - 栅极驱动器 制造商 Infineon Technologies
Infineon Technologies PMIC - 栅极驱动器 制造商 Infineon Technologies
安装类型 表面贴装
Infineon Technologies 安装类型 表面贴装
PMIC - 栅极驱动器 安装类型 表面贴装
Infineon Technologies PMIC - 栅极驱动器 安装类型 表面贴装
工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ)
Infineon Technologies 工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ)
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驱动配置 半桥
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高压侧电压 - 最大值(自举) 500V
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